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CTIMES / 液體釕前驅物
科技
典故		 電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立，是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新，與提供會員實質上的協助。
田中貴金屬確立液體釕前驅物2段成膜製程 助10nm以下微縮 (2022.06.24)
田中貴金屬工業株式會社宣布，確立液體釕（Ru）前驅物「TRuST」的2段成膜製程。「TRuST」是前驅物，對氧和氫兩者具備良好的反應性，能夠形成高純度的釕膜。本製程是一種2段ALD成膜製程（ALD＝Atomic Layer Deposition），先利用氫成膜形成較薄的防氧化膜，再以氧成膜實現高品質的釕膜

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