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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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三菱電機將推出商用雙向無線電用的新型RF高功率MOSFET模組 (2022.07.14)
三菱電機株式會社宣布將於8月1日推出一款50W矽射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）模組，用於商用雙向無線電的高頻功率放大器。該模組提供先進的763MHz至870MHz頻段內功率輸出50W，整體效率可達到40%，將有助於擴大無線電通信範圍並降低功耗 |
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東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備 (2022.01.27)
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容 |
