CTIMES - 鰭式電晶體

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第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證 (2015.05.06)
力旺電子宣佈，其單次可程式（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程平台成功完成驗證，並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用