CTIMES - Igbt

ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年來，汽車和工業設備朝高電壓化方向發展，市場開始要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元件支援高電壓。半導體製造商ROHM針對車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101、1200V耐壓、實現業界頂級低損耗和高短路耐受能力的第4代IGBT

Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流，提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲

ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」

安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計

意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值

英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能

Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車（EV）加熱器。新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間

投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。

PI新型3300V IGBT模組閘極驅動器可實現可預測性維護 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的單通道隨插即用閘極驅動器，該產品適用於高達 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模組。1SP0635V2A0D 結合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切換效能和保護功能，具有可配置的隔離串列輸出介面，增?了驅動器的可程式性，並提供了全面的遙測報告，以實現準確的使用壽命預估

ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」

東芝新款650V分立式絕緣閘雙極型電晶體適用於大型電源 (2023.03.10)
東芝（Toshiba）推出一種用於空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立式絕緣閘雙極型電晶體（IGBT）—GT30J65MRB。產品於今（10）日開始量產出貨。在高功率的工業設備和家用電器領域，由於變頻器在空調中的應用越來越普遍，工業設備的大型電源也需要降低功耗，因此讓高效率開關元件的需求成長

英飛凌推出新額定電流IGBT7增強1200 V EconoDUAL 3產品線 (2021.09.09)
英飛凌科技為其採用TRENCHSTOP IGBT7晶片的EconoDUAL 3產品組合推出新的額定電流。憑藉從300A到900A的寬廣電流等級，該產品組合為逆變器設計人員提供了高度的靈活性，同時也提供了更高的功率密度和性能

Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品

ROHM內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」

電動車之功率架構 (2021.04.09)
輪轂馬達已經開始用於電動車（EV），這項技術採用可去除差速器和傳動軸等裝置，使電動車顯著節省空間。本文介紹輪轂馬達發展狀況，並討論驅動電子裝置等一些設計整合問題

英飛凌新款650V EiceDRIVER整合靴帶二極體支援更快切換 (2021.03.26)
英飛凌科技宣布擴展旗下EiceDRIVER產品組合，推出全新650V半橋式與高低側閘極驅動器，採用公司獨特的絕緣層上矽(SOI)技術，提供市場最先進的負VS瞬態電壓抗擾性與真正靴帶二極體的單片整合，因此有助於降低BOM，並在精簡的外型尺寸以MOSFET與IGBT打造更強固的設計

英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飛凌科技推出具 650 V 阻斷電壓，採獨立封裝的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體

盛美半導體推出功率元件立式爐設備提升IGBT製程合金退火性能 (2020.12.24)
隨著電晶體變薄、變小和速度變快，合金退火功能對滿足絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）元件不斷增長的生產要求至關重要。因此，半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體近日宣佈，其開發的Ultra Fn立式爐設備擴展了合金退火功能，將立式爐平台應用拓展到功率元件製造領域

英飛凌推出硫化氫防護功能產品助力延長IGBT模組壽命 (2020.07.09)
強固性及可靠性決定了模組在嚴峻應用環境中的使用壽命。尤其是暴露於硫化氫(H2S)的環境，對於電子元件的使用壽命更有嚴重的影響。為解決此項威脅，英飛凌科技開發了一項全新的防護功能，推出搭載TRENCHSTOP IGBT4晶片組的EconoPACK+模組，是Econo系列第一款為變頻器應用提供此防護等級的產品

意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速切換技術提升應用性能 (2019.05.13)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之HB2 650V IGBT系列採用最新的第三代溝槽式場截止（Trench Field Stop，TFS）技術，可提升PFC轉換器、電焊機、不斷電供應系統（Uninterruptible Power Supply，UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的效能和性能