CTIMES - 非揮發性記憶體

世邁推出高容量NVDIMM 支援DDR4高匯流排頻率 (2020.11.26)
專業記憶體與儲存解決方案品牌世邁科技（SMART Modular）宣佈推出高容量16GB與32GB非揮發性雙列直插式記憶體模組（NVDIMMs），可支援DDR4-3200高匯流排頻率。此新品結合美光科技（Micron）先進的DDR4記憶體技術與世邁科技的高速PCB設計，可大幅增進訊號傳輸的完整性，在支援DDR4的最高速率下也能有效節省設計成本

非揮發性記憶體暫存器：新一代數位溫度感測器安全性和可靠性大躍進 (2019.11.15)
本文介紹數位輸出（I2C協定）溫度感測器中包含的內部用戶可程式化設定的暫存器，以及如何使用內建非揮發性記憶體暫存器的數位溫度感測器應對這一領域常見的設計挑戰

富士通針對汽車及工業控制應用推出全新FRAM解決方案 (2017.06.05)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司推出全新FRAM (鐵電隨機存取記憶體) 解決方案MB85RS128TY 與 MB85RS256TY，此為全新產品系列元件，可在高達攝氏125度高溫環境下運作，且符合北美汽車產業AEC Q100驗證規範，專為汽車產業及安裝有電機的工業控制機械等設計

併購Enpirion有成 Altera讓電源設計有更多想像 (2015.03.12)
FPGA大廠Altera在兩年前併購了電源晶片供應商Enpirion後，便致力於FPGA系統整體電源設計的最佳化，儘管過去FPGA本身的發展本就在降低功耗與提升效能上有相當多的努力，但Altera此舉，無疑是希望在功耗表現上能更加出色

智慧工廠效益全面提升就看FRAM (2014.10.21)
物聯網的話題相當火熱，除了MCU與網通晶片等業者紛紛大舉進軍的當下，其儲存元件也是相當重要的環結，其中富士通半導體以FRAM（鐵電隨機存取記憶體）投入物聯網應用，有著不少的著墨

富士通半導體推出全新4 Mbit FRAM產品 (2013.11.15)
富士通半導體有限公司台灣分公司宣布推出全新具有SRAM相容型並列介面的4 Mbit FRAM晶片MB85R4M2T。MB85R4M2T採用44-pinTSOP封裝並且與標準低功耗SRAM相容，因此能夠在工業機械、辦公自動化設備、醫療設備以及其他設備等應用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM

力旺嵌入式非揮發性記憶體已完成可靠度驗證 (2011.07.18)
力旺電子（ememory）於日前宣佈，其單次可程式記憶體NeoBit技術，已順利於台積公司80奈米高電壓製程完成可靠度驗證，並已成功導入客戶之高畫質顯示驅動晶片，將應用於下一世代智慧型手機

力旺Neobit技術率先導入於車規 IC製程平台 (2010.07.28)
嵌入式非揮發性記憶體廠商力旺電子宣佈，其Neobit技術已率先導入於0.25微米車規IC製程平台，並已於2010年Q2完成可靠度驗證，成功自工規領域邁進車規市場，未來更將強化與晶圓代工夥伴間之策略聯盟

Kilopass一次性可編程記憶體完成TSMC認證 (2010.04.07)
Kilopass Technology於日前宣布，該公司的XPM嵌入式一次性可編程非揮發性記憶體技術，已在TSMC™ 40nm及45nm低功率製程技術中，完成TSMC IP-9000 Level 4認證與偏差鑑定。此外，Kilopass 40/45nm一次性可編程技術的早期採用客戶，已成功完成設計定案

力旺與韓商美格納合作建構0.11um之NVM製程平台 (2010.03.11)
力旺電子（eMemory）與韓商美格納（MagnaChip）昨日（3/10）宣佈，由力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體技術，已建構於美格納0.11um 高壓先進製程平台，並將於2010年Q1進入量產

針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點

AgigA Tech推出免電池非揮發性RAM記憶體 (2009.06.30)
Cypress公司近日宣布旗下子公司AgigA Tech公司推出業界首款高速、高密度的非揮發性RAM記憶體系統。新款AGIGARAM非揮發系統（NVS）技術，帶來介於4 megabytes（32 megabits）及2 gigabytes（16 gigabits）之密度，尖峰傳輸率足以媲美DRAM

Ramtron推出新款32Kb串列非揮發性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣佈推出一款編號為 FM24CL32的串列非揮發性RAM器件，它可提供高速讀/寫的性能、低電壓運作，以及出色的資料保持能力。FM24CL32是32Kb 的非揮發性記憶體，工作電壓的範圍為2.7V至3.6V，採用8腳的SOIC封裝，採用雙線 (I2C) 協定；並提供快速存取、無延遲 (NoDelay) 寫入、幾乎沒有限制的讀/寫次數 (1E14) 及低功耗特性

力旺及韓商合作邏輯製程嵌入式非揮發記憶體 (2008.09.12)
繼本年度第一季，力旺電子與半導體製造廠商美格納（MagnaChip）共同宣佈，力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體矽智財於MagnaChip邏輯及高壓製程上進行驗證，力旺電子與MagnaChip積極回應客戶之需求，佈局相關製程平台之開發，已展現具體成效

ADI推出具極佳電阻容差的數位電位計系列 (2008.09.04)
ADI最新推出具有極佳電阻容差的數位電位計（digiPot）系列產品，使工業設備和儀器儀錶的設計人員能夠滿足更嚴格的電阻匹配需求，從而提高系統準確度。在工業控制系統、醫療儀器以及其他需要精密增益調節和失調控制、電源校準或音量控制的設備中

飛思卡爾成立新公司推動MRAM業務 (2008.06.11)
飛思卡爾半導體宣佈，將與幾個頂尖創投公司集資成立一間以MRAM(磁性隨機存取記憶體)為主要產品的獨立新公司。這間新公司名為EverSpin Technologies，將持續提供並擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品

富士通採用力旺嵌入式非揮發性記憶體 (2008.05.28)
力旺電子宣佈其與日商富士通微電子有限公司合作，富士通微電子採用力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體矽智財，開發0.18微米高壓及邏輯製程平台。富士通微電子藉此平台可提供更完整的專業晶圓代工製造服務

Spansion完成對Saifun的收購 (2008.03.21)
Spansion與非揮發性記憶體（NVM）智慧財產權(IP)授權供應商Saifun宣佈，Spansion根據雙方分別於2007年10月8日和2007年12月12日簽署的收購協議書及修正條款完成對Saifun的收購。透過收購Saifun，Spansion得以拓展其產品線，快速實現進入技術授權的業務領域，大為增加Spansion的市場機會

奇夢達與旺宏電子攜手研發非揮發性記憶體技術 (2008.01.04)
奇夢達公司宣布與旺宏電子簽定合約，共同研發非揮發性記憶體技術。這項五年的合作計畫著重於開發多項新一代非揮發性記憶體技術；雙方將分擔開發成本，提供設計資源與專業技術