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CTIMES / 國際整流器
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
英飛凌再度蟬聯全球功率半導體市場寶座 (2015.09.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)連續十二年蟬聯全球功率半導體市場領導者地位。繼年初併購國際整流器公司(International Rectifier),英飛凌的市佔率達到19.2%,穩居市場龍頭地位(而根據美國市場研究機構 IHS Inc.前一年的調查結果,兩家公司於 2013 年的市佔率合計後約為17.5% ),領先最大競爭對手的幅度達 7.0%
功率半導體市場大地震 英飛凌併購國際整流器 (2014.08.21)
近年來半導體市場的併購案件不斷,像是英特爾併購英飛凌的無線射頻部門、或是德州儀器一次買下美國國家半導體(NS)等,都是全球半導體產業十分關注的焦點,而此次英飛凌以以每股 40 美元、總計約 30 億美元的現金出手買下國際整流器(IR),更是撼動了全球功率半導體市場
IR推出三相逆變器驅動器集成電路 (2002.11.25)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(IR),推出IR2136三相逆變器驅動器集成電路系列,適用於變速馬達驅動器設計。新元件把六個MOSFET或IGBT高電壓柵驅動器整合起來,並融合多元化的保護功能,系統成本較光耦合器方案低30%
IR推出三相逆變器驅動器集成電路系列 (2002.11.22)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(International Rectifier),推出IR2136三相逆變器驅動器集成電路系列,適用於變速馬達驅動器設計。新元件把六個MOSFET或IGBT高電壓柵驅動器整合起來,並融合多元化的保護功能,系統成本較光耦合器方案低30%
IR推出雙FETKY組合封裝元件 (2002.11.07)
國際整流器公司(IR)日前推出全新的IRF7335D1型雙FETKY元件,把兩個N通道MOSFET及一個肖特基二極管,組合於單一SO-14封裝,載電效能遠超市場上同類雙MOSFET-肖特基組合封裝方案,亦較IR早前推出的IRF7901D1元件提供高出40%的電流
IR推出150V及200V MOSFET元件 (2002.08.09)
全球功率半導體及管理方案廠商----國際整流器公司(簡稱IR) 推出一系列全新的150V及200V HEXFET功率MOSFET,它們的導通電阻和柵電荷特性經過最佳化,能將48V輸入隔離式直流-直流轉換器的效率提升1%,適用範圍包括網路和電信系統
IR發展全新IGBT/FRED技術 (2001.08.08)
全球供電產品領導事業廠商IR針對絕緣閘雙極晶體管及快速恢復磊晶二極管發展出一項全新的程序技術,不僅能提供較上一代元件快70% 的關機時間,功率損耗亦低於目前市場上頂級產品20%
IR發表2001年第三季營收財報 (2001.05.03)
國際整流器公司(IR)日前公佈2001年第三季營收財報,營收成長高達39%。淨收入的年度成長率攀升至121%,營收為2億7600萬美元。而前三季營收總為7億9千3百萬美元,比去年同期成長53%
IR推出GBL及GBU橋接整流器系列 (2001.04.25)
國際整流器(IR)日前推出全新GBL及GBU橋接整流器系列 (GBL and GBU Series bridge rectifiers),應用於工業以及消費性電子領域,例如電源供應系統和手持式電子裝置。 全新橋接整流器的額定電壓由50V至1200V
IR擴展快速恢復二極管產品系列 (2001.04.19)
國際整流器( IR),宣佈以多款的全新400V元件,進一步擴展IR的超快速恢復外延二極管(FRED, ultra-fast recovery epitaxial diode)產品系列。這些具超快速恢復功能的輸出二極管(output diodes),不但可以大幅提高電源供應效率,也能有效縮小產品的尺寸、重量與節省生產成本
IR推出新型同步整流IC參考設計 (2001.04.11)
全球供電產品廠商國際整流器(IR),推出IR1176應用同步整流IC專用的參考設計-IRDCSYN2。新型IR1176元件的輸出電壓低至1.5V,能大幅簡化及改善隔離式DC-DC轉換器的設計,提供電信及寬頻網路伺服器源源不絕的動力
IR 推出兩款全新的TO-220封裝HEXFET功率MOSFET (2001.03.20)
國際整流器(IR)推出兩款全新的TO-220封裝HEXFET功率MOSFET,大幅提升初級(primary-side)和次級(secondary-side) DC-DC轉換器電路的功率密度(power density),使有關應用發揮最大效能。 這些新型元件是專為電信及數據通訊系統中的高效率48V輸入隔離式(input-isolated) DC-DC轉換器而設計,以取代TO-247封裝體積較大的元件
IR 發表新款20V HEXFET MOSFET (2001.03.14)
國際整流器(IR)14日發表兩套20V HEXFET功率MOSFET系列產品,能提升12V 輸入端DC-DC轉換器的效率達4%。新型 20V IRF3711 與 20V IRF3704系列裝置專為多相位降壓轉換器(multiphase buck converters)所設計,支援新一代GHz級的微處理器,如應用在高階桌上型電腦與伺服器的Intel(r) Pentium(tm) 4 與AMD( Athlon處理器
IR發表全新iPOWIR元件技術 (2001.03.08)
國際整流器公司(IR)八日發表全新的iPOWIR技術,為各種電腦及通訊設備的內建DC-DC電源轉換器,開創前所未有的設計效益。隨著iPOWIR技術的發表,IR DC-DC發展計劃的第一階段順利完成
IR併購Unisem,全面擴展DC-DC電源管理方案 (2001.02.27)
國際整流器公司(IR)日前宣佈併購 Unisem 公司,不但加強了本身的工程設計能力,更進一步擴展了DC-DC功率管理IC產品線。 Unisem總部位於美國加州,是領導業界的類比IC供應廠商,其產品為手持式電子設備、網際網路基礎建設及視訊處理器等資訊科技應用系統,提供完善的功率管理功能
IR推出一系列HEXFET功率 MOSFET元件 (2000.12.22)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR),致力於提升特定隔離式及降壓式DC-DC轉換器的運作效率,特別針對個別電子拓樸技術需要,推出一系列HEXFET功率 MOSFET元件。 全新100V IRF7473元件採用SO-8封裝,適用於48V輸入、1.6V輸出和60A雙階段隔離式轉換器的初級運作,及全橋式配置
IR推出超高電壓HEXFET功率MOSFET (2000.07.07)
國際整流器(International Rectifier;IR)全面擴展其HEXFET功率MOSFET系列,推出多種適用於開關式供電應用系統(switch-mode power supply;SMPS)的新元件。 新元件把系統專用式開發技術結合到支援大量生產的全新處理平台,為零電壓開關(Zero-voltage Switching;ZVS)及硬式開關(Hard-switching;HS)轉換器帶來更強勁性能,同時滿足系統需求,並降低系統成本
IR發表兩款新型功率橋式整流器 (2000.06.29)
供電產品廠商國際整流器公司(International Rectifier;IR)日前推出兩款嶄新的精巧型單相橋式整流器,使原有產品系列更為充實。全新的25A GBPC25及35A GBPC35橋式整流器4四個整流二極管結合於單一的全波橋式整流器中,為高電流供電系統的輸入電路提供更大效益

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