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電子所銅導線晶片封裝技術造福廠商 (2001.07.08) 由於目前半導體製程已經進入銅導線時代,因此屬於後段作業的打線封裝也有必要有新的技術因應,工研院電子所日前表示,該所已在銅導線晶片構裝上有了新的突破性技術進展,此技術是在銅金屬墊上利用無電解製程或金屬濺鍍製程上做出Cap Layer,即可讓銅金屬氧化情形杜絕,此項技術也已通過JEDEC的驗證測試 |
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工研院電子所積極開發IGBT先進製程技術 (2001.02.13) 為了將雙載子電晶體和金氧半電晶體相結合,以得到一個有絕緣閘輸入並有低導通電阻的功率元件,而促成了絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)的研究發展。國內的工研院電子所目前也正積極研究此先進製程技術,並表示最快在3月份完成IGBT的驗證工作,其規格則可做到電壓600伏,電流30安培 |
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