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電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立,是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新,與提供會員實質上的協助。
ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」 (2024.10.22)
全球半導體前端製程設備龍頭企業ASM台灣先藝科技(Euronext Amsterdam: ASM)首度贊助國科會「台灣科普環島列車」,今(22)日於台中新烏日站啟航,並與清華大學跨領域科學教育中心共同設計碘液煙燻、酸鹼液氧化還原反應等科普實驗,帶領近千名學子一探AI浪潮下ASM前瞻半導體技術的基礎概念,期待未來能吸引更多學生投身半導體領域
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求,具備低缺陷率、高製程穩定性,成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本,促進了碳化矽元件的更廣泛應用
ASM在台首個培訓中心落腳台南 首次引進VR訓練技術 (2023.08.17)
ASM International N.V.(Euronext Amsterdam: ASM)今(17)日宣布,在台灣成立的首個培訓中心正式啟用,落腳台南科學園區,將充分強化 ASM 在台灣的技術能量,未來將得以深化對人才的培育,以及為客戶提供更即時、更緊密的服務與支援
ASM和SAFC簽訂認證製造廠商與合作協定 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布針對進階超介電常數絕緣層(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子層沉積(ALD)原料簽訂認證製造廠商與合作協定。 該協定提供化學原料之認證標準、特定ASM ALD 專利之授權許可,以及針對這些化學原料的行銷與進階開發合作關係
ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰 (2008.05.22)
ASM推出一個全新的原子層沈積(ALD)製程。該製程採用氧化鑭(LaOx)及氧化鋁(AlOx)高介電值覆蓋層,使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬,而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬
Victrex APTIV薄膜獲得ASM Flexitest 2030採用 (2007.09.12)
VICTREX PEEK聚合物和VICOTE塗料等高性能材料的全球領先製造商英國威格斯公司(Victrex plc)11日宣佈,以VICTREX PEEK聚合物為基礎的APTIV薄膜已獲得全球領先半導體封裝設備供應商ASM Pacific Technology Ltd
半導體薄膜沉積市場復甦 (2002.07.24)
綜合外電消息,整體薄膜沉積市場正如預期般復甦中,特別是新興市場ALD(Atomic Layer Deposition;原子層沉積)最為顯著。 根據Information Network指出,由於去年半導體產業景氣低迷,連帶使整體薄膜沉積設備市場僅達到34億美元,整整衰退了46.1%,預計今年將有4%的成長率,整體市場可望成展至36億美元

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