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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03) 在電動汽車和混合動力汽車中,少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器,而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示,2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元,預計到2030年將增長至110億美元,預測期內的複合年增長率為15% |
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英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11) 根據Yole Group預測,氮化鎵(GaN)市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓(HV)與中電壓(MV)CoolGaN產品,讓客戶可以在更廣泛的應用領域中,採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置,推動數位化與低碳化進程 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21) 為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性,意法半導體(STMicroelectronics)推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V,最高作業溫度高達175°C,具有更高的額定值 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21) imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。 |
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EPC新推80 V和200 V eGaN FET (2021.06.17) 宜普電源轉換公司(EPC)推出新一代氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)產品--EPC2065 和 EPC2054。EPC2065是一款 80 V、3.6微歐姆的氮化鎵場效應電晶體,可提供221 A?衝電流,其晶片級封裝的尺寸?7.1 mm2,讓整體電源系統的尺寸更小和更輕,並且成?電動出行、電動自行車和踏板車,服務、交付、物流機器人和無人機的32V/48V BLDC電機驅動應用的適用元件 |
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加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10) 二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇,各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。 |
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片上變壓器隔離門極驅動器的優勢 (2020.12.04) 儘管隔離技術已經存在多年了,但已演變以滿足新應用的需求,如可再生能源的逆變器、工業自動化、儲能以及電動和混合動力汽車的逆變器和正溫係數(PTC)加熱器。 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13) 由於7奈米及更先進製程愈趨複雜昂貴,正採用不同方法來提高效能,亦即降低工作電壓並使用新IP區塊來強化12奈米節點,而這些改變對於AI加速器特別有效。 |
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邏輯元件製程技術藍圖概覽(上) (2020.11.10) 愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長,將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。 |
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為什麼選擇GaN電晶體?MasterGaN1告訴你答案 (2020.10.27) MasterGaN1用於新拓撲。在設計AC-DC轉換系統時,工程師可以將其用於LLC諧振變換器。 |
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零交叉偵測 IC可大幅降低生活家電待機功耗 (2020.09.16) ROHM針對空調、洗衣機和吸塵器等生活家電,研發出零交叉偵測 IC-BM1ZxxxFJ系列產品,大幅降低待機功耗。 |
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遵循DO-254標準與流程 及重大/輕微變更的分類概述 (2020.08.12) 半導體特殊應用積體電路(ASIC)及標準產品都面臨生產停產問題,正因如此,需要製造出外形、尺寸與功能都等效的器件。 |
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選定萬用表的簡單指南 (2020.07.07) 萬用表是所有電子工程師操作台的必備重要物品,此類儀器可用於量測電壓、電流、電阻等一系列關鍵電氣參數,而且事實證明,在故障排除時亦非常有用。 |
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微縮實力驚人 台積3奈米續沿用FinFET電晶體製程 (2020.06.04) 台積電終於在今年第一季的法人說明會裡,透露了其3奈米將採取的技術架構,而出乎大家意料的,他們將繼續採取目前的「FinFET」電晶體技術。 |
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3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25) 愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制,以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。 |
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再見摩爾定律? (2019.10.07) 許多半導體大廠正積極研發新架構,都是為了找出一個全新的產業方向。龍頭大廠開始重視晶片的創新,並持續以全新架構來取代舊有的晶片。 |
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EDA跨入雲端環境新時代 (2019.09.11) 全球主要EDA供應業者,已經開始將一部分的IC設計工具,透過提供雲端設計或驗證的功能。並且未來可能針對各種不同領域或產業、製品技術等,都能夠透過雲端來完成所需要的 |
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解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰 (2019.06.11) 隨著新型鈦矽化技術的發展,來自愛美科(imec)的博士生Hao Yu,介紹了改進源/汲極接觸方案,這將能解決先進CMOS技術接觸電阻帶來的挑戰。 |
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貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31) 貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。
QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用 |
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先進材料是電動車快速崛起之關鍵 (2018.04.10) 汽車製造商將面臨巨大的壓力,需要竭盡全力實現更高的燃油經濟性。從長遠來看,將需要採納電動車(EV)和混合動力車(HEV)以便能夠實現這些目標。 |