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M31與高塔半導體合作 開發65奈米SRAM和ROM記憶體 (2024.08.04)
M31 Technology宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）合作，成功開發65奈米製程的SRAM（靜態隨機存取記憶體）和ROM（唯讀記憶體）IP產品，並將設計模組交付客戶端完成驗證，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體）所設計的電路架構，能夠滿足SoC晶片嚴格的低功耗要求 |
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Microchip串列SRAM產品組合更大容量、速度更快 (2024.03.29)
因應SRAM需求趨於更大、更快，Microchip擴展旗下串列SRAM產品線，容量最高可達4 Mb，並將串列周邊介面/串列四通道輸入/輸出介面（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。新產品線包括容量為2 Mb和4 Mb兩款元件，旨在為傳統的並列SRAM產品提供成本更低的替代方案，並在SRAM記憶體中包含可選的電池備份切換電路，以便在斷電時保留資料 |
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簡化FPGA設計 Mosys推出QPR多分區高速SRAM (2021.05.24)
由旭捷電子代理的美商MoSys推出新一代的Quazar QPR(Quad Partition Rate；四分區速率)記憶體，主要針對FPGA系統進行優化，提供低成本、超高速的SRAM記憶體器件。MoSys致力於加速智慧數據應用，並提供半導體和IP解決方案，以加速雲端、網路、安全性和通訊系統的效能升級，以及智慧數據處理應用的開發 |
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22FDX製程為AR技術帶來重大變革 (2021.04.21)
格羅方德（GlobalFoundries）與Compound Photonics（CP）的策略聯盟，即將推動功能更強大、體積更小、重量更輕且更節能的AR/MR眼鏡。 |
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厚翼科技提供檢測與修復結合的SRAM解決方案 (2018.06.04)
厚翼科技 (HOY Technologies)內嵌式測試（BIST ,Built-In Self-Test）的解決方案可以確保記憶體儲存功能是正確無誤的；而內嵌式修復 (BISR, Built-In Self-Repair) 的解決方案可幫助客戶提升良率減少生產成本的浪費 |
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意法半導體推出新系列STM32微控制器 (2016.10.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出運算性能創記錄的新STM32H7系列微控制器（MCU）。新系列內建SRAM（1MB)，其快閃記憶體高達2MB，還有種類豐富的通訊外部週邊，來讓更聰明的智慧裝置無所不在之目標而鋪路 |
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Microchip推新記憶體系列 可在斷電時保障儲存安全 (2016.10.20)
Microchip宣佈推出擁有無限耐久性、斷電時保障資料儲存安全的全新低成本、低風險儲存解決方案。新的I2C EERAM記憶體系列是簡易使用的非揮發性SRAM記憶體產品，適用於需要連續或即時記錄、更新或監測資料的各種應用，比如電表計量、汽車和工業等領域的應用 |
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來揚科技攜手主力分團 進軍次世代記憶體市場 (2016.05.16)
傳統記憶體的製程技術已達物理極限，國際大廠無不全力布局，一場次世代記憶體大戰已隱然成型。為搶占未來全球記憶體市場，來揚科技整合本身電路設計能力後，以開放宏觀的精神，進軍次世代記憶體市場 |
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PLD克服高常用系統的設計挑戰 (2016.05.11)
高常用性系統如伺服器、通訊閘道和基站等需要持續作業。一旦安裝後，即需透過軟體升級來增強系統功能和修復錯誤。PLD常用於支援系統內的設計更新。 |
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32位元策略有成 新唐MCU攻進日本市場 (2015.12.28)
儘管近期半導體產業的不斷併購，但對於MCU（微控制器）市場而言，並沒有太大的影響，身為國內的主要MCU供應業者，新唐科技的確也有相同的看法。新唐科技微控制器應用事業群副總經理林任烈表示，正因為MCU能夠涵蓋的應用相當廣泛，所以大體上來說，對新唐不會有太多的影響 |
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瑞薩推出16 Mb與32 Mb進階低功率SRAM (2015.10.30)
瑞薩電子（Renesas）推出兩款全新系列的進階低功率SRAM (Advanced LP SRAM)，為目前最主要的低功耗SRAM類型，其設計可提供更高的可靠性及更長的備份電池使用壽命，適用於工廠自動化(FA)、工業設備及智慧電網等應用 |
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Maxim小型低功率MAX3262x微控制器登陸Mouser (2015.10.20)
Mouser Electronics即日起開始供應Maxim的MAX32620/MAX32621 微控制器。MAX3262x裝置採用支援浮點單元(FPU)的32位元RISC ARM Cortex-M4F微控制器，適合新興的醫療及健身應用市場。這兩款裝置均內含2MB快閃記憶體和256KB的SRAM，其架構整合了高效率的訊號處理功能，成本低且易於使用 |
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Atmel | SMART SAM S/E系列MCU目標面向物聯網和工業市場 (2015.07.20)
Atmel公司宣佈，公司已開始批量生產基於ARM Cortex-M的微控制器（MCU）產品—Atmel | SMART SAM S70和E70系列。
這些MCU擁有更大的可配置SRAM、更大的嵌入式快閃記憶體和豐富的高頻寬外設，並提供最佳的連接、記憶體和性能組合 |
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意法半導體新系列STM32微控制器突破超低功耗應用性能極限 (2015.05.22)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）整合其超低功耗微控制器技術與在ARM Cortex-M4內核領域累積的多年厚實經驗，成功開發這款適合用於下一代節能型消費性電子產品、工業、醫學及量測設備的STM32L4系列微控制器 |
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瑞薩電子推全新先進低功率SRAM產品 有助提升製造商系統可靠性 (2013.10.14)
瑞薩電子宣佈將推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先進低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新產品，為瑞薩的旗艦SRAM (靜態隨機存取記憶體)。新款記憶體裝置具有4 Mb密度，並採用電路線寬僅110 nm(奈米)的精密製程技術 |
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MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構，在這當中最為關鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，並可由電流來控制旋轉方向 |
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MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!（上） (2013.07.02)
在工研院即將進入歡慶40週年院慶之際，工研院電光所的研究團隊所開發出來的「垂直式自旋磁性記憶體技術」榮獲傑出研究金牌獎，此一技術乍看之下並不顯眼，但該記憶體技術的背後，卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力佈局 |
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Cypress SRAM獲Altera採用於FPGA開發套件 (2011.11.14)
Cypress日前宣布Altera公司28奈米Stratix V GX FPGA開發套件，選用Cypress Quad Data Rate II（QDRII）以及QDRII+ SRAM。Cypress表示，其SRAM讓Stratix V FPGA開發套件能實現100 Gbps的線路速率。
Stratix V GX FPGA開發套件提供完整的設計環境 |
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Cypress推出32位元匯流排低功耗非同步SRAM (2011.08.09)
Cypress於日前宣佈，推出128-Mbit、64-Mbit 、以及32-Mbit的MoBL (More Battery Life) 超長電池續航力 SRAM，並擁有32位元匯流排寬度。新款元件為Cypress的SRAM產品之一，此系列產品包括高效能同步、非同步以及微功耗元件 |
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新款QDRII+SRAM 讓Cypress 65奈米SRAM系列齊備 (2011.01.05)
Cypress近日發表Quad Data Rate（QDR）與Double Data Rate（DDR）SRAM，這些65奈米SRAM系列產品的最新成員提供36-Mbit與18-Mbit密度版本。新款記憶體讓65奈米SRAM系列產品的成員更臻齊備，密度涵蓋至144Mbit，速度更高達550MHz |
