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宜鼎發佈全球首款Ultra Temperature極寬溫DRAM模組 (2021.10.27)
近來全球記憶體市場話題不斷，DRAM新品持續在容量、頻寬及速度上力求突破；看似面面俱到，卻始終不見耐受溫度向上提升，使得嚴苛的高溫應用情境備受挑戰。為此，宜鼎國際正式推出全球首款「Ultra Temperature」極寬溫DDR4記憶體模組 |
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TrendForce：第二季伺服器用記憶體供給仍有缺口，估價格漲幅逾10% (2017.04.18)
Trendforce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，伺服器用記憶體供給持續吃緊，且仍有供給缺口未能完全滿足需求。其中原廠對LTA（Long Term Agreement）伺服器製造商的平均出貨達成率下滑至約八成，顯示供給缺口仍有兩成未能滿足，甚至對其餘中國與台灣ODM廠的出貨達成率下滑至六成左右 |
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希捷強化RealStor儲存陣列 提升企業效能、資料中心彈性及災難復原 (2015.12.22)
全球硬碟機與儲存方案供應商希捷科技針對旗下AssuredSAN RealStor（RealStor）混合及全快閃陣列產品系列推出關鍵強化功能，協助OEM廠商提供客戶更多高性價比的中階企業級儲存產品選擇 |
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HGST推出10TB企業級硬碟 因應動態歸檔儲存應用 (2015.06.15)
協助全球釋放數據資料力量，企業儲存領域廠商HGST（昱科環球儲存科技）推出採用新一代動態歸檔應用的企業級10TB硬碟 。主機管理型的Ultrastar Archive Ha10 SMR 硬碟，打破固有思維，創立業界新標桿，利用前所未有的總整體擁有成本（TCO）優勢，創造出全世界密度最高的伺服器及儲存系統 |
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凌力爾特八通道同步取樣ADC 具備18位元及彈性化效能 (2015.06.15)
凌力爾特（Linear）日前發表18位元、8通道同步採樣逐次漸進暫存器（SAR）ADC LTC2348-18，當以每通道200ksps的吞吐量轉換八個通道時，每個SoftSpan輸入可根據逐步轉換（conversion-by-conversion）的基礎獨立配置，以接受+/-10.24V、0V至10.24V、+/-5.12V或0V至5.12V的訊號 |
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宜鼎國際工控模組全新升級 推出高IOPS系列產品 (2015.05.27)
工控儲存廠商宜鼎國際（Innodisk）新一代3ME3模組產品系列升級自3ME系列，採用先進控制器，及針對工業電腦應用所設計的韌體，搭配A19奈米製程的原廠高品質同步快閃記憶體，可讓微型模組效能大幅提升 |
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Computex 2015─宜鼎國際展示完整應用於車聯網儲存解決方案 (2015.05.26)
宜鼎國際（Innodisk）於6月2日展開的Computex 2015展示旗下產品，將結合快閃記憶體（Flash）與動態記憶體（ DRAM ）兩大事業部最新產品，分別以Supermicro 1018R-WC0R搭載SeverDOM-V / SATADOM SH 3ME3,DDR4 32GB RDIMM 2400Mhz展示伺服器應用、主流系統平台搭載CFast 3ME3 / mSATA mini 3ME3,DDR4 8G ECC UDIMM展示網通應用、主流系統平台搭載2 |
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宜鼎國際發表工控應用DDR4動態記憶體模組 (2015.03.19)
工控儲存廠商宜鼎國際(Innodisk)發表全系列工控應用UDIMM/SODIMM/ECC 和UDIMM/SODIMM DDR4動態記憶體模組（DRAM），符合JEDEC最新規範，滿足工控業界各種需求，因應Intel即將於2015年中推出的工控應用主流主機板Skylake，宜鼎國際全系列產品將協助客戶輕鬆升級 |
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HGST與60East Technologies攜手帶動AMPS實現即時資料分析 (2015.01.27)
HGST FlashMAX PCIe固態硬碟能增加儲存效能和容量，進而改善大數據分析速度，同時保留軟硬體的既有投資。
HGST（昱科環球儲存科技為Western Digital集團旗下子公司）宣佈60East Technologies已認證 HGST FlashMAX II PCIe 固態硬碟（SSD）於 AMPS（進階傳訊處理系統） |
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宇瞻全面啟動企業3.0升級計畫 (2015.01.23)
宇瞻科技發佈2015年企業營運展望，將啟動企業3.0升級計畫，期許帶來突破性發展，再創佳績。除專注數位儲存本業發展，宇瞻科技未來將以擴大事業體系的經營模式，在2015年秉持3大發展策略全速衝刺- 產業策略結盟，攜手深耕利基市場；聚焦開拓新興市場，探索事業新藍海；穩固人力扎根，建立完整企業人才供應鏈 |
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Microchip擴展四個串列式I/O SuperFlash系列推出低功耗記憶體 (2015.01.20)
Microchip（微芯科技）發布SST26WF080B 和 SST26WF040B新元件，擴展旗下1.8V四個串列式 I/O（SQI）SuperFlash記憶體家族。新元件備有4Mb及8Mb的儲存容量，採用Microchip高性能SuperFlash技術製造，可提供最快的抹除時間和可靠性 |
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08年Q2全球記憶體銷售 三星依舊稱王 (2008.08.11)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，根據統計資料，今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼，市場佔有率已超過了30%，持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位 |
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IDT推出支援DDR3記憶體模組的低電壓暫存器 (2008.07.25)
IDT(Integrated Device Technology)宣佈推出第一個能夠為高效能伺服器和工作站提供標準與低電壓作業支援的暫存時脈驅動器(registered clock driver)。IDT DDR3暫存器的設計目的是為了協助降低伺服器叢集和資料中心的功耗與散熱成本 |
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Linear發表一款12位元連續漸進暫存器 (2008.05.07)
凌力爾特(Linear)發表一款12位元連續漸進暫存器(SAR)ADC LTC2366，其能透過6及8接腳TSOT-23封裝達到3Msps之資料輸出率。LTC2366可操作於單一2.35V至3.6V供應範圍，並於最大輸出率時只耗7.2mW，相較於最接近的競爭產品，其可節省20%之功率 |
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TI發表新量產、具鎖相迴路的DDR3暫存器 (2008.04.28)
德州儀器(TI)發表量產、具有鎖相迴路(PLL)的DDR3暫存器，該元件為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組 (RDIMMs)所設計，並且可透過固定的時脈以及輸出延遲來消除對電壓與溫度變化的影響，使系統更具穩定性 |
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整合系統 深化優勢 (2007.12.03)
張敦凱總經理認為，未來視訊IC設計創業者的利基，在於深入掌握系統的整合程度，具體瞭解韌體及介面周邊的系統發展趨勢，培養對於韌體與系統周邊瞭解深入的IC設計整合人才，並且結盟具有關鍵設計技術的新創業者，降低設計風險，才能事半功倍地設計出符合市場需求的IC解決方案 |
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直接記憶體存取的基礎、結構與應用 (2007.07.11)
DMA移轉設定有兩種主要的類型：暫存器模式（Register Mode）以及描述符模式（Descriptor Mode）。以暫存器為基礎的DMA包含有兩個次模式（sub-mode）：自動緩衝模式（Auto-buffer Mode）以及停止模式（Stop Mode） |
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飛利浦DDR2記憶體模組搭配高速暫存器極速登場 (2005.01.24)
隨著製程技術的不斷演進，記憶體模組解決方案已經從較低速的單倍數據傳輸率(SDR)演變為較高速的雙倍數據傳輸率(DDR)，此外，由於對精確的信號控制的要求，暫存器的使用也與日俱增 |
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TI開始供應邏輯暫存器零件 (2002.09.30)
德州儀器（TI）日前推出DDR-II邏輯暫存器SN74SSTU32864，可供廠商在DDR-II記憶體模組中進行評估。以SN74SSTU32857原型晶片的發展為基礎，TI才能改善它的技術和設計經驗，加快SN74SSTU32864發展速度，並獲得較佳設計結果 |
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TI推出新版DIMM暫存器零件 (2002.09.04)
德州儀器（TI）日前推出SSTVF系列DIMM暫存器零件，這顆SN74SSTVF16857可以大幅提升DDR333速率的PC2700 DIMM記憶體模組工作效能。SN74SSTVF16857提供更好的信號完整性，傳播延遲時間也獲得大幅改善，比JEDEC標準SSTV16857還快500ps（同時開關），不但時間快速，記憶體系統也更強健可靠 |
