帳號:
密碼:
CTIMES / 多次燒錄唯讀記憶體
科技
典故
確保網路穩定運作與發展的組織 - ICANN

ICANN是一個獨特的組織目的在於提昇網路的品質,並且致力於全球網路的發展。
英特爾推出新的快閃記憶體 (2000.10.17)
英特爾公司(Intel)日前推出新的快閃記憶體產品,以提高下一代網路行動電話與無線裝置的效能。Intel 1.8伏特無線快閃記憶體為目前市場上效能最高的快閃記憶體解決方案,主要功能的速度較現有的快閃記憶解決方案快四倍以上
Rambus忙於訟訴案件的進行 (2000.09.13)
這個星期對Rambus而言是個多事之秋,因其有四個訟訴案在進行,其中兩個分別是在德國對現代電子(Hyundai)及美光(Micron)的訴訟,根據Rambus的說法,此二訴訟案件預計在明年二月將會開庭受審;而另兩個是在法國所採取的法律行動
SST投資宇瞻10%股權 (2000.07.25)
SST(Silicon Storage Technology, Inc., Nasdaq: SSTI)Flash專業設計製造公司正式宣布投資宇瞻科技,取得宇瞻科技約10%股權,雙方希望藉由策略聯盟的方式攜手大步前進IA市場。由於Flash適用範圍極廣,以現有全球產能難以滿足市場所有需求,以致全球半導體製造廠商都面臨Flash供不應求的難題
吳敏求:旺宏將躋進全球前5大Flash製造商 (2000.07.19)
旺宏電子(MXIC)總經理吳敏求18日表示,快閃記憶體將在未來幾年內快速成長,依迪訊(Dataquest)的統計,旺宏去年快閃記憶體的產出全球排名第12。旺宏總經理吳敏求則預估,未來5年內,待旺宏三廠產能全能量產後,旺宏將躋進全球前5大快閃記憶體的製造商
半導體廠商積極搶攻Flash市場 (2000.07.14)
快閃記憶體(Flash Memory)市場成長潛力驚人,根據分析機構的預估,快閃記憶體全球產值在1998年為25億美元,預估至今年有機會達到100億美元,2年產值躍升3倍。國內半導體業者除了華邦、旺宏積極投入外
AMD推出專為蜂巢式行動電話而設計的快閃記憶體晶片 (2000.06.23)
美商超微半導體(AMD)宣佈推出兩款最先進的快閃記憶體產品,分別為32MB的Am29BDS323及64MB的Am29BDS643,兩者均採用AMD創新的同步讀/寫架構、高效能爆發模式介面以及超低電壓技術
英特爾宣佈售出第10億顆Flash晶片 (2000.05.26)
英特爾宣佈售出第10億顆快閃記憶體晶片,創下新的里程碑。英特爾於1988年推出第一套快閃記憶體產品,並立定目標發揮快閃記憶體在電源關閉時保存資料的特性,除了磁碟機、磁帶以及底片等儲存媒體之外,輕巧、強固、可攜式且低耗電的資料記憶功能
立生衝刺EEPROM產能 (2000.05.25)
股票上櫃在即的立生半導體,目前正全力衝刺自有晶圓廠中EEPROM(電子式可抹寫記憶體0產能,預計在近期內應可取得製程技術上的突破,於下半年迅速將單月營收推升至3億元以上
2MB Flash貨源短缺 (2000.05.21)
英特爾810晶片組在五月淡季發生大缺貨,雖然810並非目前市場上最強勢的產品,且對主機板廠商的出貨影響有限,但主機板廠商卻更加擔心810缺貨恐將對快閃記憶(Flash)的貨源產生排擠效應,使得目前已處於缺貨狀態的2MB快閃記憶體貨源更形短缺
Flash產業的近況和展望 (2000.05.01)
參考資料:
旺宏接獲16M Flash二百萬顆訂單 (2000.02.18)
旺宏總經理吳敏求宣佈,接獲第一批手機用16M快閃記憶體兩百萬顆訂單,五月起將開始交貨。雖然目前快閃記憶體訂單量已爆增,但由於產能不足,將以逐月提升產能方式增產
SIA預測今年半導體成長60%來自通訊設備晶片 (2000.02.09)
美國半導體協會(SIA)2月7日發表對今年全球半導體產業的預測指出,今、明兩年該產業的營收均可成長二成,且今年的成長值中,有60%的成長來自於通訊設備的晶片需求所貢獻
MP3播放機關鍵元件與廠商 (2000.02.01)
參考資料:
MP3播放機市場與結構分析 (2000.02.01)
參考資料:
英特爾發表3伏特Intel StrataFlash 快閃記憶體 (1999.08.09)
英特爾公司發表3伏特Intel StrataFlash快閃記憶體,該產品採用先進的0.25微米製程與多階微細胞技術,故能在單一高密度的128Mb晶片上兼具程式碼執行與資料儲存能力。此支援Page Mode功能之NOR Flash快閃記憶元件不僅提供最大的儲存容量
英特爾新型快閃記憶體9月供貨 (1999.08.04)
英特爾昨(3)日發表新型快閃記憶體,具有很大的儲存容量,並可進行高速讀取,可應用在各種掌上型設備、智慧手機、網路設備、視訊轉換器,以及其他上網硬體設備。 英特爾昨天發表3伏特的英特爾StrataFlash快閃記憶體,採用0.25微米製程與多階微細胞技術,英特爾表示,此一產品可進行高速44奈秒的高效率讀取,增加網路連結設備功能
高密度快閃記憶體兩三年內恐將缺貨 (1999.08.03)
據外電報導指出,快閃記憶體市場在需求迅速成長下,超 微認為市場產值將由今年的29億美元,至公元2003年增 加為90億美元,短短四、五年間成長幅度超過三倍以上, 其中又以高密度快閃記憶體未來需求量成長最快

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw