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國內自行設計之DDR DRAM漸有成果 (2001.02.20)
國內IC設計公司自行設計的DDR DRAM，最近已漸有產能開出，力晶半導體為鈺創代工製造的2×32DDR DRAM，近日試產階段已有不錯良率開出，但DDR產品成本障礙集中於後段測試部份，則是目前各IC設計公司與下游合作廠商努力達成的目標 |
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DRAM漲跌間端視美光季末操作 (2001.02.18)
這幾天亞洲和美國等地區的64Mb DRAM現貨價格上揚，據報導，有幾點是此波上揚的重要因素，除大陸聯想電腦需求有持續發燒現象外，尚包括花旗集團有意以債權作股權，入股韓國現代電子等皆是促成要素 |
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日商Elpida副總裁預估DRAM市場第三季將出現短缺 (2001.02.16)
日本動態隨機存取記憶體 (DRAM)大廠Elpida公司副總裁兼技術行銷部門總經理犬飼英守表示，目前DRAM市場雖不振，但今年DRAM產能提升速度不如需求成長，第三季底全球DRAM市場將可能出現短缺 |
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揚智總經理吳欽智:第一季SDRAM晶片將為主流 (2001.02.15)
揚智科技總經理吳欽智昨 (14)日表示，今年第一季晶片組市場仍會以同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)為主，不過第二季開始，可共用倍速資料傳輸記憶體 (DDR)和SDRAM的主機板需求將逐步上揚，揚智也將有機會重回晶片組主流市場 |
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DDR2可望於明年提出明確規格 (2001.02.13)
威盛電子產品開發處長張元麟表示，威盛正和記憶體大廠共同進行第二代倍速資料傳輸記憶體(DDR2)規格研發，預計可在2002年確定規格，並在2003年正式量產出貨。
DDR SDRAM由於在成本及製程上和現行動態隨機存取記憶體(DRAM)相近，因此獲得不少記憶體廠商支持，但其處理速度仍和RDRAM高達800MHz以上有一段距離 |
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東芝、NEC擬增產採Rambus架構之高速電腦記憶晶片 (2001.02.09)
東京的日經英語新聞於今(8)日引述不具名產業消息來源指出，東芝和NEC計劃增產採用Rambus架構之高速電腦記憶晶片，藉以滿足高階系統對該產品日漸增加的需求。
報導中指出，東芝正醞釀增產依據Rambus設計的動態隨機存取記憶(DRAM)晶片 |
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DDR高峰會各廠態度仍有差異點 (2001.02.08)
為了順利推動DDR架構，國內晶片組大廠威盛、揚智舉辦為期二天的DDR國際盛會，而此活動也為近來產業景氣的低迷氣氛，營造了許多令人振奮的效果，從整個活動下來也反映出各廠商在DDR方面的佈局與態度 |
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美光強力促銷省電DRAM新產品 (2001.02.08)
商美光科技動態隨機存取記憶體 (DRAM)行銷處長麥勒斯 (Jeff Mailloux)7日表示，隨著個人數位助理(PDA)、可攜式產品等需求上揚，這五年內，通訊IC和消費性IC對DRAM市場將成為擴大DRAM市場的主力 |
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超微擬仿效英特爾折讓方式推動DDR (2001.02.08)
超微(AMD)表示，正評估仿效英特爾以折讓(Rebate)推廣Pentium 4與Rambus DRAM(RDARM)方式，針對特定市場區隔推出處理器搭配晶片組或記憶體等刺激DDR需求；另外英特爾第二季折讓空間將會加大，以挽救第一季P4銷售不如預期的空缺 |
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威盛DDR高峰會獲記憶體大廠撐腰 (2001.02.07)
為了鞏固DDR的地位，日前威盛電子特別舉辦了DDR平台高峰會，最引人注目的是，全球前五大記憶體廠商包括美光、現代、三星等、Infneon及EIPIDA等均齊聚一堂，會中除宣示DDR記憶體量產已準備就緒，並宣稱市佔率將由今年的15%提升到明年的50%，並預計在後年成為市場主流，另外會中也發表了第二代的DDR規格 |
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美光將發表低功率DRAM搶攻無線通訊市場 (2001.02.07)
SDRAM今年前景未明，為尋求產業第二春，ＤＲＡＭ巨擘美光(Micron)將在下周於美國發表低功率(low power)DRAM，產品定名為BAT-RAM，將搶攻無線通訊市場，Infi neon、韓國三星等隨後也都將在下半年推出低功率DRAM樣本，預料將逐漸對低功率SRAM產生衝擊 |
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DDR晶片組激戰將開打 (2001.02.06)
倍速資料傳輸記憶體(DDR)晶片組爭霸戰即將開打，威盛電子今(6)日舉行DDR系統平台高峰會，邀集記憶體及主機板大廠共同推動DDR規格。國內三家晶片組廠商、國外大廠ATI、nVidia 和美光科技也將在今年加入DDR晶片組戰局，今年下半年DDR晶片組將占整體晶片組市場三成以上 |
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記憶體模組相關技術及未來發展趨勢 (2001.02.01)
一場資訊革命，使資訊產業的發展一日千里；而資訊產業結合數位時代的趨勢，亦促使市場的需求朝向多元化的方向前進，消費者對於PC系統的效能要求於是愈來愈高。受CPU速度愈來愈快，軟體功能更為強大及IA產品興起的影響，為了配合系統配備需求發展，高速傳輸的記憶體扮演了極為重要的角色，本文將針對PC用的記憶體模組做介紹 |
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茂矽將於2月5日發表128百萬位元DDR記憶體 (2001.01.31)
茂矽將於2月5日首度對市場發表128百萬位元DDR記憶體，該公司並於今(31)日進一步指出，此項產品已獲得威盛和揚智的認證，有助於未來在市場上的發展；並採用茂德的0.17微米製程切入，可有效降低成本 |
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DRAM現貨價 春節期間持平 (2001.01.29)
國內農曆春節期間，美國AICE的64百萬位元DRAM現貨報價持平，128百萬位元DRAM現貨報價則下跌二％。同期間，美光股價小跌1.1%，比費城半導體指數4.7%跌勢小；不過，同期間台積電、聯電ADR 跌勢均超過10%以上較重 |
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DDR晶片組量產時程遞延，錯失旺季 (2001.01.18)
nVidia、ＡＴＩ與美光等本月起陸續送交ＤＤＲ晶片組樣本，但因已較原定時間落後一季，預估量產時間都在第二季底或其後，系統廠認為這三家公司將只能搶食下半年自有品牌市場及聖誕節ＯＥＭ市場，明年開始才會對現有晶片組廠商構成威脅 |
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勤茂科技推出DDR SO-DIMM筆記型電腦邁入雙倍頻世紀 (2001.01.16)
勤茂科技繼率先展出採用雙倍資料讀取頻率技術的記憶體模組DDR DIMM之後，再度領先同業推出雙倍頻技術的小型記憶體模組200-pin DDR Unbuffered Small Outline DIMM，專供筆記型電腦市場 |
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DRAM廠商今年紛提高生產量 (2001.01.12)
在經過去年三溫暖式的記憶體市場震盪後，DRAM廠商去年營收報告也已全部完成，從業者營收狀況分析，去年大多數廠商已實施調降財測動作，而之後的營收實績亦大多能達成調降後財測水準 |
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南韓DRAM廠加重128M生產比例 (2001.01.09)
全球DRAM的發展詭譎多變，南韓媒體日前的報導指出，三星電子與現代電子兩家大廠有意在128M DRAM繼續加重其生產的比例，原因為最近64M DRAM的國際現貨報價持續暴跌，而目前市場上二顆64M DRAM已相當於一顆128M DRAM的價格 |
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DRAM景氣 何時復甦？ (2001.01.08)
所羅門美邦證券半導體分析師指出，美國聯準會(FED)於上週三的降息動作，預料在未來6~9個月內會帶動PC，使得DRAM的景氣復甦。分析師認為，消費者對微軟新版作業系統(Windows Me)以及英特爾(Intel)的Pentium4微處理器接受度不高，是造成DRAM產業在去年底面臨旺季不旺窘境的主要原因 |
