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NOR Flash成長驅動力分析 (2004.02.05)
NOR Flash為目前快閃記憶體的主流產品，在整體的Flash市場上佔有極高的佔有率。促成NOR Flash市場成長動力的主要來源為手機、PDA等，本文將以NOR Flash的應用方向作一全面的分析與展望 |
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Hynix宣佈開始量產NAND型快閃記憶體 (2004.02.04)
路透社報導，韓國記憶體大廠Hynix日前表示，由於手機與數位相機市場對記憶體需求龐大，該公司將從2月起開始量產快閃記憶體（Flash）；Hynix是在2003年初時與意法半導體進行快閃記憶體晶片開發與生產的合作 |
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Microchip推出新型串列式EEPROM產品 (2004.01.14)
微控制器與類比元件半導體廠商Microchip Technology宣布推出新型串列式EEPROM產品，提供設計人員在低電流運作模式下能有快速的工作速度及較短的寫入時間，以幫助用戶更快且更有效地擷取大量資料 |
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快閃碟廠商結盟 推廣攜帶型存儲裝置 (2003.12.09)
數家廠商共組產業組織以推廣一種能夠小到能夠掛在鑰匙鏈上的攜帶型資料存儲設備。這個稱為USB快閃碟聯盟（USB Flash Drive Alliance）的產業組織由Lexar Media、三星半導體以及其他幾家廠商共同成立 |
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大陸儲存晶片市場發展趨勢分析 (2003.12.05)
隨著Flash在通訊、消費性、PC領域的普遍應用，未來Flash必將成?發展最快、最有市場潛力的儲存晶片產品，PC及行動電話產業的發展狀況就決定了儲存晶片的發展前景。本文將從PC與手機應用需求的角度，探討大陸Flash的市場發展趨勢 |
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Toshiba與San Disk將合資興建12吋晶圓廠 (2003.12.04)
據經濟日報報導，日本半導體大廠東芝（Toshiba）3日宣布將與美商新帝（San Disk）合資興建12吋晶圓廠，以擴大資料存取型快閃記憶體（Data Flash）產能，而瑞薩（Renesas）、爾必達（Elpida）及富士通等IDM大廠，2004年也將調高資本支出，後段封測訂單則將擴大委外，交予京元電、力成等業者 |
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年底需求旺 快閃記憶體合約價持續上揚 (2003.12.02)
據南韓中央日報報導，MP3、隨身碟、數位相機等產品因年底旺季而需求大增，關鍵零組件快閃記憶體價格亦因供不應求而持續上揚，512M NAND型快閃記憶體合約價已從第二季的10美元上升至第四季的13美元 |
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市調機構預期Flash產值5年內超越DRAM (2003.12.01)
據經濟日報報導，由於記憶體業者南韓三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年將大舉調撥產能在資料存取型快閃記憶體（Data Flash），大幅減少DRAM供給，預計該缺口將逾5％，而市調機構預期，未來五年Data Flash的複合成長率將超越DRAM，產值達150億美元規模 |
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誰是Flash龍頭? 三星與英特爾分庭抗禮 (2003.11.25)
市調機構iSuppli公佈2003年第三季全球快閃記憶體（Flash）供應商排名，南韓三星（Samsung）取代英特爾（Intel）成為全球最大供應商；但隨後另一市調機構Semico Research公佈相同的調查卻顯示，英特爾仍是最大Flash業者；對此Semico認為，NAND及NOR快閃記憶體不應加總計算，英特爾及三星分別應該是NOR及NAND型快閃記憶體最大供應商 |
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三星集中資源生產Flash以確保龍頭地位 (2003.11.22)
電子時報消息，因消費性電子產品及其週邊設備對於NAND型Flash需求量只增未減，全球第一大NAND型Flash供應商三星，為持續保有市場佔率、掌握龐大商機，並拉開與競爭對手的距離，已將其晶圓廠生產線大幅度由DRAM轉做生產NAND型Flash |
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Renesas將委託力晶代工生產快閃記憶體 (2003.11.19)
日本半導體大廠日立與三菱合資之瑞薩半導體（Renesas）日前宣布將應用於數位相機和行動電話的1Gb快閃記憶體晶片，委託台灣力晶半導體代工，以提高產量；瑞薩表示，力晶將於2004年4～9月開始量產高容量的AND型快閃記憶體 |
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旺宏未來Flash產品研發將以自有技術為主 (2003.10.28)
據Digitimes報導，由於目前全球Flash市場需求量不斷向上突破，國內記憶體業者旺宏未來在Flash研發上將著重在N-bit部份，原因在於Flash必須要擁有自有技術，該公司亦與Renesas簽訂Flash合作備忘錄，雙方將合作開發採用0.13微米製程DINOR規格128Mb的Flash，旺宏這部份則將全權主導製造機器設備及製程技術 |
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快閃記憶卡本季將再漲價20％至25％ (2003.10.22)
三星、東芝第四季起雖提高NAND快閃記憶體出貨量，但二家大廠約七成NAND晶片產能仍被手機與數位相機大廠包下，現貨市場中晶片缺貨問題仍然嚴重，不過因終端市場需求不減反增，業界人士預估第四季快閃記憶卡價格仍將上漲20％至25％，256MB快閃記憶卡平均價格將高於80美元 |
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普誠國際更名為正達國際 (2003.10.15)
代理專業的快閃記憶裝置〈Flash Memory〉商－普誠國際，宣佈將改名為正達國際股份有限公司，而大陸地區則以上海宏衢為名進軍市場。該公司經營代理市場多年，經營績效亮眼將於今年申請股票公開發行，明年底申請上櫃，預計2005年初掛牌上市，決定於今年10月1日起正式改為正達 |
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東芝計畫增加資本支出以提升Flash與感測器產能 (2003.10.14)
據日本產經新聞報導，為迎合目前消費性電子市場包括數位相機、可照相手機等產品對記憶體之需求，東芝計畫追加設備以提升NAND型快閃記憶體（Flash）及CMOS影像感測器的產能 |
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Flash缺貨 三星等廠轉撥DRAM產能搶單 (2003.10.08)
10月以來DRAM價格因市場需求未見增溫而下跌，但NAND規格快閃記憶體卻因缺貨價格飆漲，包括三星、Hynix、美光、英飛凌等DRAM大廠，均提高快閃記憶體產能。此一動作也削減了DRAM產能，市調機構iSuppli預估，今年全球DRAM位元年成長率（bit growth）只會達41％，遠低於過去七年平均60％以上的成長率 |
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M-Systems與JMTek達成協議 (2003.10.06)
USB快閃磁碟研發廠商M-Systems，對於2002年10月1日控告JMTek LLC侵權一案，兩方達成和解。協議條款包括JMTek承認M-Systems在USB快閃磁碟結構TrueFFS技術與全球類似產品上享有專利 |
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記憶體大廠產能轉向Flash DRAM現貨價上揚 (2003.09.30)
據經濟日報報導，因資料存取型快閃記憶體嚴重缺貨，DRAM大廠三星、東芝新增12吋廠增加生產快閃記憶體，Hynix也有意跟進，使DRAM市場本周將出現小幅缺貨，而南科、茂德及力晶三大業者都認為DRAM現貨價本周將反彈 |
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NAND Flash業者調整供貨策略 台灣模組廠利多 (2003.09.28)
據工商時報報導，NAND規格快閃記憶體（Flash）因快閃記憶卡熱銷且供應商新產能擴增不及，目前呈現嚴重供不應求情況，而全球最大NAND Flash供應商三星、東芝，已調整未來供貨策略，即優先供應金士頓、創見等合約客戶，減少釋出至現貨市場數量 |
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東芝計劃增加NAND型Flash設備投資 (2003.09.22)
根據彭博資訊（Bloomberg）報導，全球NAND型快閃記憶體（Flash）供應商之一，日本東芝於日前表示，因NAND型快閃記憶體需求在全球數位相機（DSC）及可照相手機市場帶動下不斷成長，因此該公司將考慮再加碼投資生產設備以因應市場需求 |
