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CTIMES / 寬能隙半導體
科技
典故
網際網路聯合公會 - W3C

在1994年10月,網路的創造者Tim Berner-Lee,在麻省理工學院的電腦科學實驗室裡,成立了網際網路聯合公會,也就是現在的World Wide Web Consortium。
宜普:氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 (GaN)技術在各產業中扮演起重要的角色,中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外,中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司,並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展
ST:以全面解決方案 為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇,更進一步在不同城市,為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。 透過「激發智慧 永續創新」的主軸,與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹,親身體驗前沿技術和激發智慧的應用
緯湃科技和安森美簽署SiC長期供應協定 投資碳化矽擴產 (2023.06.01)
緯湃科技(Vitesco Technologies)和安森美(onsemi)宣佈了一項價值19億美元(17.5億歐元)的碳化矽(SiC)產品10年期供應協定,以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現代驅動技術和電氣化解決方案製造商,將向安森美提供2
節能降耗勢在必行 寬能隙半導體發展加速 (2022.07.27)
寬能隙半導體擁有許多優勢,其節能效果非常出色。 碳化矽和氮化鎵兩種技術各有特點,各自的應用情境也有所不同。 寬能隙技術已經催生出一系列相關應用,協助達成碳中和的企業目標
英飛凌投資擴大馬來西亞前端製造工廠 提升SiC和GaN產能 (2022.02.22)
為了大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能,進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區

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2 意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性
3 ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰
4 Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件
5 蔚華與南方科技合作非破壞性SiC檢測系統 搶攻化合物半導體商機
6 TI:擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50%
7 Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援
8 ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議
9 安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈
10 德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍

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