CTIMES - 動態隨機存取記憶體

南韓政府計畫將Hynix一案提交WTO裁決 (2003.06.16)
南韓政府日前表示，除非歐美撤回對韓國記憶體業者Hynix課徵懲罰性關稅的決定，南韓計畫將與美國及歐洲政府主管單位之間，對該國是否不當補助Hynix的爭執，提交至世界貿易組織（WTO）進行仲裁

AMD獲三星頒發2002年「最佳供應商」獎 (2003.06.16)
日前宣佈獲三星電子(Samsung Electronics)評選為2002 年「最佳供應商」。AMD 一直是三星電子的快閃記憶體產品供應商，而「最佳供應商」獎是三星電子頒予供應商的最高榮譽

DRAM、Flash、DSP將成2004年當紅半導體產品 (2003.06.13)
半導體產業協會（SIA）日前公佈開2003半導體銷售年中報告時，亦對半導體市場明日之星作出預言表示，DRAM、快閃記憶體（Flash）及數位訊號處理器（DSP）將是2004年半導體市場最紅的產品，但相較之下微處理器恐將失去原有的光環

DRAM業者將成12吋廠增加之主要動力 (2003.06.09)
據工商時報報導，DRAM市場景氣自2001以來價格一直處於低檔，除了三星外，其餘DRAM廠均出現虧損，DRAM業者也因此停止擴充產能計畫。但市場調查機構Strategic Marketing Associates（SMA）指出，近期DRAM價格回升，業者亦展開新一波籌資與興建12吋廠計畫，明年底全球12吋廠單季資本投資可達55億美元

華邦公佈5月營收報告 (2003.06.09)
華邦電子9日公佈5月份營收達新台幣20.05億元，較去年同期營收22.35億元，減少近10.28%。今年一至五月累計之營收總額為新台幣108.04億元，相較去年同期累計營收134.44億元，減少近19.64%

DRAM六月上旬合約價上漲逾一成 (2003.06.03)
據工商時報報導，DRAM市場雖仍處於供過於求狀況，但因通路商與記憶體模組廠等下游買家，預期DRAM價格將在第三季傳統旺季上漲而積極回補庫存，帶動現貨價緩慢上揚，DRAM廠六月上旬合約價出現大幅上漲情況，目前原廠256Mb DDR模組合約價已喊至35美元，飆漲逾一成

環隆電氣正式跨足Wireless PDA市場 (2003.06.02)
環隆電氣正式跨足Wireless PDA市場，藉由內建無線網路模組研發設計與客制化設計及生產能力，搭配長期以來累積的零組件整合優勢，全速拓展無線通訊應用領域商機。環隆電氣所推出之Wireless PDA除了內建無線網路模組，並能同時支援VoIP功能，為客戶提供從設計到生產的完整服務

DRAM合約價六月可望止跌回升 (2003.05.23)
據工商時報報導，近來DRAM市場雖受到傳統淡季與SARS等因素影響而行情走低，但記憶體模組大廠金士頓表示，英特爾推出856晶片組與調降處理器價格等動作，應可刺激市場需求，加上Hynix六月起出貨至美國的DRAM將被課徵57％的懲罰性關稅，所以六月起DRAM合約價可望止跌反彈，並帶動現貨價格上漲

中芯0.18微米1T-SRAM技術已獲認證 (2003.05.21)
大陸晶圓代工業者上海中芯國際日前宣布，該公司以0.18微米製程試產的靜態隨機存取記憶體（1T-SRAM）已獲供應商MoSys的認證；中芯下半年就可在大陸直接提供客戶1T-SRAM製程與代工產能，並可望在嵌入式記憶體代工市場，與台積電、聯電以及力晶等記憶體廠商競爭

DRAM價格續跌　業者樂觀認為六月可回穩 (2003.05.20)
據工商時報報導，五月下旬DRAM合約價日前出爐，因市場需求十分疲弱且OEM廠無太大的採購動作出現，再加上現貨價下跌的壓力，因此256MB DDR模組合約價只守在30至22美元之間，較上旬小跌5％

英飛凌與美光合作推出RLDRAM II規格 (2003.05.13)
英飛凌科技(Infineon Technologies)與美光科技(Micron technology)合作推出高速低延遲(Reduced Latency)DRAM II架構為主的完整規格。此種RLDRAM II規格是屬於第二代、超高速DDR SDRAM產品，傳輸速度可高達400MHz；並結合超寬頻及高密度的快速隨機存取

Elpida最快可在今年第三季量產新一代DRAM (2003.05.12)
據日經產業新聞報導，日本DRAM業者爾必達（Elpida）日前表示，該公司將最快從今年第三季起，領先三星等競爭對手，量產用於英特爾新型中央處理器的新一代DRAM，該新產品將取名為DDR2，記憶容量為512M，讀取速度可達533Mbps，較現有產品提高30％，適用於高階電腦及伺服器

三星DRAM市佔率雖小幅下滑　仍穩居龍頭寶座　 (2003.05.12)
市場調查機構iSuppli日前公布今年第一季全球DRAM市場調查報告，韓國三星電子（Samsung）仍蟬連全球DRAM龍頭寶座，但市佔率小幅下滑3.8％，至於美光（Micron）、英飛凌（Infineon）則分居二、三名的因銷售量有一定幅度的增加，所以市佔率雙雙揚升

SARS嚴重衝擊DRAM產業？　市調機構看法不一 (2003.05.08)
蔓延亞洲地區的SRAS病毒可能將對亞洲半導體市場產生何種影響，目前各家市調機構產生看法不一的情況；iSuppli日前指出，因SARS疫情在大陸肆虐，全球DRAM市場將受到嚴重衝擊，但Semico卻提出反駁，認為iSuppli將DRAM市場景氣不佳歸咎於SARS的說法有誤

為減低成本　記憶體設計業者轉投DRAM晶圓廠 (2003.05.06)
據Digitimes報導，包括中芯國際等大陸晶圓業者以低價打進DRAM市場的策略，已經對台灣IC設計業者的獲利造成影響，包括晶豪、鈺創與矽成等設計業者為減輕成本，近來逐漸將產能由台積電、聯電，轉向DRAM業者如力晶、南亞科的晶圓廠，兩DRAM廠也已將提升記憶體代工業務比重列為重點工作

三星將投資五億美元擴建美國晶圓廠 (2003.05.05)
韓國三星電子（Samsung）日前透露，該公司將投資5億美元擴建並升級其位于德州奧斯汀的半導體工廠，以生產用於高階伺服器的電腦記憶體晶片。由於景氣遲未復甦，相對與三星的增資動作，其他半導體業者大部分在縮減支出，包括龍頭業者英特爾（Intel）都計畫削減2003年的資本支出預算達25％

全球反傾銷　Hynix市場不保 (2003.05.05)
自歐盟、美國均對韓國DRAM廠Hynix因接受政府的非法補助，而進行控告與制裁，此一案例一出後，果然效應威震DRAM產業，連台灣DRAM廠南亞科、華邦、力晶、茂矽等企業都自組聯盟，並提出反傾銷的控訴

英飛凌量產0.11微米製程 (2003.04.30)
英飛凌科技(Infineon)宣佈該公司的0.11微米DRAM產品已進入量產階段。以全新的0.11微米製程所製造的高密度256Mb DRAM樣品，不僅獲得英特爾的驗證，並已出貨予各地之策略夥伴

英飛凌將量產0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
繼韓國三星日前宣佈以0.11微米量產DRAM後，德商DRAM廠英飛凌也宣佈以0.11微米溝槽式（Trench）製程試產256Mb DRAM，並且獲得英特爾驗證，目前已進入量產階段，未來該製程將授權華邦、華亞、中芯等策略夥伴

NEC與三星分別表示將增加半導體投資 (2003.04.28)
儘管整體半導體景氣復甦情況仍舊不明，SARS疫情等因素又對市場投下許多變數，仍有業者對投資十分積極，包括日本NEC與韓國三星電子，皆有增加投資或擴廠的計劃。據路透社報導