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Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流，提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲 |
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Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器 (2024.09.23)
Littelfuse推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET閘極驅動器。這些閘極驅動器專為驅動MOSFET而設計，透過增加其餘兩個邏輯輸入版本完善現有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本 |
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ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」 |
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ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域，隨著安全性和便利性的提高，電子產品逐漸增加，電子元件數量也與日俱增，而為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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ROHM高可靠性車載Nch MOSFET適用於多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.22)
隨著車用電子元件提高安全性和便利性的需求，為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低車用產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性 (2024.03.28)
英飛凌科技（Infineon）推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列，全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的性能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化，降低電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益於用於伺服器、電信、儲能系統（ESS）、音訊、太陽能等用途的各種開關應用 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升，對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用 |
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自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
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頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度 (2023.11.20)
本文討論頂部散熱（TSC）作為一種創新的元件封裝技術能夠如何幫助解決多餘熱量的散熱問題，從而在更小、更輕的汽車中實現更高的功率密度。 |
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Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳，將漏極與閘極之間的引腳間距，從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理，實現精巧的印刷電路板佈局 |
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Diodes新款碳化矽MOSFET符合車規 可提升車用子系統效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET—DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列N通道MOSFET產品可滿足市場對SiC解決方案不斷成長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器(OBC)、高效DC-DC轉換器、馬達驅動器及牽引變流器 |
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德國STABL能源採用英飛凌MOSFET 延長電動電池壽命 (2023.07.12)
德國STABL能源（STABL Energy）借助英飛凌科技（Infineon）的MOSFET產品，利用退役的電動乘用車電池打造固定式儲能系統，首批固定式儲能系統試點專案目前已在德國和瑞士投入使用 |
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Magnachip擴展用於行動裝置電池保護電路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半導體發布四款新型 MXT LV 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）採用超短通道技術，擴展 Magnachip 用於行動裝置電池保護電路的第七代 MXT LV MOSFET 產品陣容。
超短溝道是Magnachip的最新設計技術，通過縮短源極和漏極之間的溝道長度來降低Ron（MOSFET在導通狀態操作期間的電阻） |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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Toshiba新款輕薄型共汲極 MOSFET具有極低導通電阻特性 (2023.05.19)
Toshiba推出一款額定電流為 20A 的 12V 共汲極 N 溝道 MOSFET「SSM14N956L」，適用於鋰離子 （Li-ion） 電池組 （例如行動裝置電池組） 的電池保護電路中。包括智慧手機、平板電腦、行動電源、可穿戴裝置、遊戲機、小型數位相機等應用 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手機電池保護電路模組 (2023.03.03)
為了滿足移動設備製造商多樣化和不斷變化，必須解決電源管理方面的需求，Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)，內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
