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CTIMES / 高耐壓
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
TDK推出新系列车载积层陶瓷电容器 (2016.03.16)
TDK株式会社开发出了温度补偿用 C0G、NP0 特性的额定电压 1000V的车载积层陶瓷电容器新系列产品，并在该额定电压下实现了静电高容量范围（1nF～33nF）。 近年来，随着电动汽车和混合动力汽车的普及，电子化的发展和高密度安装所带来的电子元件小型化、大容量化、高耐压化，使得车用电子元件的市场需求不断增长
ROHM 耐压600V的高效率风扇马达驱动IC全系列新上市 (2015.12.22)
半导体制造商ROHM株式会社鉴于以新兴国家为首的国外市场，今后对于室内空调设施的需求愈来愈高，因此研发出能做到让家电制品变频且高耐压的风扇马达驱动元件─BM620xFS 系列
ROHM研发出80V高耐电压DC/AC变频器 (2015.11.06)
为通讯基地台等扩大发展中的工控市场提升节能效益，ROHM跨入80V等级的高耐压DC/DC变频器市场...

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