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AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
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TrendForce：三星、SK海力士、美光第二季Server DRAM营收季增30.1% (2017.08.14)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，回顾第二季度，整体Server DRAM供给吃紧，即使原厂透过产品线调整仍无法有效??解市场需求的力道，在平均零售价(Average Selling Price)垫高的带动下，三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂第二季整体营收较第一季成长约30.1% |
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2017 Q1 DRAM总体营收成长13.4% (2017.05.19)
满足智慧手机与PC记忆体需求
DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，第一季DRAM总体营收较上季大幅成长约13.4%。从市场面来观察，原厂产能增加的效应最快在2017年下半年浮现，但仅是满足下半年智慧型手机与PC出货的记忆体需求 |
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3D-NAND Flash第三季产出比重将突破50%大关跃为主流制程 (2017.04.25)
TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆叠的3D-NAND Flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3D- NAND Flash产出比重将正式超越50% |
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TrendForce：第二季伺服器用记忆体供给仍有缺口，估价格涨幅逾10% (2017.04.18)
Trendforce记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新研究显示，伺服器用记忆体供给持续吃紧，且仍有供给缺口未能完全满足需求。其中原厂对LTA（Long Term Agreement）伺服器制造商的平均出货达成率下滑至约八成，显示供给缺口仍有两成未能满足，甚至对其余中国与台湾ODM厂的出货达成率下滑至六成左右 |
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岱鐠科技推出全系列UFS工程及量产烧录解决方案 (2017.02.21)
专业IC烧录器制造商岱鐠科技推出Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器，以及自动化烧录设备。新的NuProg-E、NuProg-F8和DP3500 整合了UFS系统设计与应用，适用于研发、产品验证及小批量和工厂大量的生产需求 |
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供过于求 DRAM产值持续衰退 (2016.02.15)
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，2015年第四季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季衰退9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示 |
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并购将持续发生半导体游戏规则逐渐转变 (2016.01.07)
这两年半导体业者之间的并购，印证了产业已经进入高度成熟的阶段，在这样的氛围下，为了能让系统呈现高度差异化，系统与半导体之间的垂直整合，开始成了未来的发展趋势 |
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Altera公开整合HBM2 DRAM和FPGA的异质架构SiP元件 (2015.11.24)
Altera公司公开新款异质架构系统层级封装（SiP，System-in-Package）元件，整合了来自SK海力士（SK Hynix）公司的堆叠宽频记忆体（HBM2）以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。 Stratix 10 DRAM SiP代表了新一类元件，其特殊的架构设计满足了高性能系统对记忆体频宽最严格的要求 |
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DRAM寡占阵营将面临价格压力？ (2014.08.29)
随着DRAM三大阵营的确立，今年DRAM各大阵营的获利与营收，都可说是连连报捷，这也使得在先进制程的投入也更加积极。但是否又会再次面临价格下跌的压力？答案似乎是有可能的 |
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TrendForce：供过于求情况不再 DRAM获利回稳 (2014.05.06)
随着先前内存市场的整并潮已告一段落，目前全球内存市场的供需状况，已经相对健康许多，所谓的供过于求的情形已不复见。根据TrendForce表示，DRAM市场今年起呈现交投清淡的走势，无论现货商或模块厂多维持较低的库存水位，大厂逐步将产能从标准型内存转向行动式内存，供货吃紧让现货市场底部价格确立 |
