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ST新款40V STripFET F8 MOSFET电晶体 具备节能降噪特性 (2022.08.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET电晶体STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极体之特性，降低功率转换、马达控制和配电电路的耗能和杂讯 |
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意法半导体推出适合高启动电流应用的单通道负载开关 (2022.06.15)
意法半导体（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H与IPS1025H-32单通道可程式高边开关。这两款开关内建欠压保护、过压保护、过载保护、过热保护功能，能智慧驱动高启动电流的电容性负载、电阻性负载或电感性负载 |
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ROHM推出600V耐压SuperJunction MOSFET 实现超低导通电阻 (2022.04.13)
半导体制造商ROHM在600V耐压SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”产品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款机型，非常适用於电动车充电桩、伺服器、基地台等大功率工控装置的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的大型生活家电的马达驱动 |
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英飞凌Power PROFIT系列产品可取代高电流继电器与保险丝 (2016.11.10)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）支持分散式、智慧化、具成本效益的汽车电源网架构，推出 Power PROFET全新超低电阻高侧智慧开关系列产品。这些保护型开关具备市面上最低的导通电阻及最高的能源管理能力，可取代配电与接线盒中的机电式继电器和保险丝，最高可达 40 A DC |
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英飞凌OptiMOS 5 150 V 可大幅降低导通电阻和逆向复原电荷 (2016.10.18)
【德国慕尼黑讯】为满足高效率设计和应用的需求，英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5 150 V 产品组合，进一步拓展OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新150 V系列特别针对需求低电荷、高功率密度同时具备高耐用度的高效能应用，如低压驱动器、电信电源与的同步整流以及太阳能转换器所设计 |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻 (2015.08.14)
ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗 |
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英飞凌新一代功率MOSFET具备低导通电阻 (2015.02.10)
英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下80V和100V两款新产品。最新一代的功率MOSFET针对高切换频率所设计，适用于电信及伺服器电源供应器等同步整流，以及其他如太阳能、低压马达和变压器等工业应用 |
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ADI推出故障检测和保护、低/超平坦电阻值开关系列产品 (2014.11.19)
在制程控制和数据撷取应用中实时辨识和防范故障，可提高系统正常运行时间。
美商亚德诺（ADI）推出故障检测和保护、低/超平坦电阻值开关系列产品：ADG5412F、ADG5413F、ADG5412BF和ADG5413BF |
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IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻 (2014.11.13)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)为工业应用扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流推出75V组件 |
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ROHM新推出导通电阻仅34mΩ (2012.03.08)
罗姆电子(ROHM株式会社)于日前宣布全新推出创新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。
随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张 |
USB的沿革历史充满曲折，其中各大厂商从本位主义的相互对抗，到尝尽深刻教训后的Wintel合作，能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省？
