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解决黄光技术成本挑战 默克提出DSA代替微影材料 (2019.09.19)
微影（lithography）扮演半导体制程中最重要的流程，通常占全体制程40%~50%的生产时间。随着电晶体大小持续微缩，微影技术需制作的最小线宽（pitch level）也被为缩至极短波长才能制成的程度，从采用波长365nm的UV光，到波长248nm及193nm的深紫外线光（DUV），甚至是波长10~14nm的极紫外线光（EUV），微影技术正面临前所未有的挑战 |
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KLA-Tencor：7奈米以下制程需有效降低显影成型误差 (2017.09.14)
7纳米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7纳米节点後，制程将面临更严峻的挑战， 不仅要克服晶圆刻蚀方面、热、静电放电和电磁干扰等物理效应，同时要让信号通过狭小的线也需要更大的电力，这让晶片设计，检查和测试更难 |
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Brewer Science：先进封装可解决现阶段制程微缩挑战 (2017.09.13)
今日的消费性电子产品、网路、高效能运算 (HPC) 和汽车应用皆仰赖封装为小型尺寸的半导体装置，其提供更多效能与功能，同时产热更少且操作时更省电。透过摩尔定律推动前端流程开发，领先的代工和积体装置制造商 (IDM) 持续不断挑战装置大小的极限，从 7 奈米迈向 3 奈米 |
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提高记忆深度及完整讯号捕获率的示波器整合方案 (2008.03.18)
几乎所有电子产业包括计算机、通讯、半导体、航天国防、汽车与无线产业中的电子设计与测试研发人员，都在持续开发复杂的硬件设计方案，细微的讯号和偶发事件益发层出不穷，因此硬件设计工程师需要分析除错功能强大的示波器，做为硬件设计测试除错的主要量测依据 |
IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度，便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
