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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Linear发表0V至18V理想二极管控制器 (2008.08.04)
凌力尔特( Linear)发表0V至18V理想二极管控制器LTC4352。此组件能达到多重电源低损耗ORing ，并对供应电压具备最低的干扰。LTC4352可稳压横跨于外部N信道MOSFET的顺向压降，以于diode-OR应用中确保和缓的电流转换 |
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Linear推出单一高压理想二极管控制器 (2008.08.01)
凌力尔特( Linear)发窗体一高压理想二极管控制器LTC4358，其采用内部5A MOSFET，以简单、低损耗的替代方案取代高电流应用中之萧特基二极管。此控制器及20m Ohm内部N信道MOSFET可展现低顺向电压二极管功能，于高电流应用中提供比萧特基二极管更低损耗的路径，并具备更高的效率 |
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ST推出250A功率MOSFET结合先进封装和制程 (2008.07.20)
以降低如电动汽车等电动设备的营运成本和减少对环境的影响为目标，电源应用厂商意法半导体(ST)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET，新产品STV250N55F3低导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能 |
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凌力尔特发表新型高速同步MOSFET驱动器 (2008.07.02)
凌力尔特(Linear)发表一款高速同步MOSFET 驱动器LTC4447，其专为在同步整流转换器架构中，驱动顶部和底部电源N 信道MOSFET 而设计。此驱动器结合电源MOSFET与众多凌力尔特DC/DC 控制器的其中一款后，可构成一完整的高效率同步稳压器，而能被用作降压或升压DC/DC转换器 |
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Linear推出多相位升压DC/DC控制器 (2008.06.27)
凌力尔特(Linear)发表LTC3862，其为一款可透过精小接脚占位提供高输出功率的二相位升压DC/DC控制器。其12个电源步阶可被并联及反相锁住，以将输入和输出滤波之要求降至最低，4V 至36V之输入电压范围，以及根据外部零组件选择之宽广输出电压范围可涵盖广泛的高功率升压应用 |
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安森美扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新组件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用于终端产品包括白家电、照明电子整流器和马达控制等工业应用 |
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Linear发表高速同步MOSFET驱动器 (2008.03.21)
凌力尔特(Linear)发表LTC4443/-1，其为一款高速同步MOSFET驱动器，专为在同步整流之转换器架构中，驱动顶部和较低功耗N信道MOSFET而设计。此驱动器结合电源MOSFET与众多凌力尔特DC/DC控制器的其中一款之后，便可形成一个完整的高效率同步稳压器，以作为降压或升压DC/DC转换器 |
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Zetex新型无铅MOSFET成功把电路面积减一半 (2008.03.11)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首项采用无铅式2 x 2毫米DFN封装的MOSFET产品。这款ZXMN2F34MA组件的PCB面积比业内采用标准SOT23封装的组件小50%，离板高度只有0.85毫米，适用于各类型空间有限的开关和功率管理应用，例如降压/升压负载点转换器中的外部开关装置 |
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新型英飞凌MOSFET家族降低功率损耗达30% (2008.02.27)
英飞凌科技(Infineon)在应用电源电子研讨会（APEC）上宣布在OptiMOS 3 N信道MOSFET(场效应晶体管)产品阵容，新增三个新的功率半导体家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在关键功率转换规格如通态电组的指针性能，可降低标准晶体管型封装(TO)的功率损失达30％ |
