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超越5G时代的射频前端模组 (2021.01.05)
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米脊型工程，爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓或磷化铟镓的异质接面双极电晶体，实现5G毫米波频段的功率放大应用。 |
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是德科技与三安集成策略合作推出HBT、pHEMT制程设计套件 (2016.05.03)
是德科技软体和服务可协助三安集成加速完成HBT和pHEMT制程PDK的开发制作可靠、高功率的先进pHEMT及HBT元件，缩短产品上市时间。
是德科技（Keysight）日前宣布与中国厦门三安集成签署合作备忘录（MoU），双方将以是德科技先进设计系统（ADS）软体为基础，共同合作开发适用于三安集成的HBT和pHEMT制程的先进制程设计套件（PDK） |
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WCDMA HBT功率放大器模块 (2007.10.08)
本文介绍一款在3mmx5mm2的紧凑型封装中、整合有GaAs HBT MMIC PA和Si BiCMOS DC电源管理IC的WCDMA功率放大器模块。这种多合一的方案适用于手机应用。它采用一种死循环控制DC-DC降压转换器，让电源管理IC能够自适应优化PA集极电压，可当作输出功率函数，从而降低后移工作的耗电量 |
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无线通信IC制程技术探微 (2002.09.05)
无线通信IC已成为半导体产业未来发展的重要支柱，年产量高达四亿支左右的手机市场更是目前各大半导体厂商关注的重点，本文将以无线通信射频IC的制程技术为探讨重点，藉以说明半导体制程技术在该领域的发展与趋势 |
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三菱与尚达签订技转及晶圆代工合约 (2000.10.12)
由博达投资的尚达集成电路与日本三菱电机签定技术移转与晶圆代工合约，尚达公司董事长叶素菲表示，日本三菱商事将投资尚达三至五％。日方代表则表示，将提供ＨＢＴ、ｐＨＥＭＴ两种砷化镓晶圆制程技术 |
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高平投资胜阳光电 (2000.08.18)
继日前传出美国通讯组件大厂科胜讯(Conexant)公司有意收购全新光电公司股权外，近期全球最大异质接面双载子晶体管磊芯片(HBT)制造厂--美国的高平(Kopin)公司，也将参与胜阳光电公司投资 |
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稳懋将建6吋砷化镓晶圆代工厂 (2000.06.08)
全球首座6吋砷化镓晶圆代工厂即将在国内诞生。稳懋半导体将在华亚科技园区兴建6吋砷化镓之专业代工厂，该厂不仅为国内第一座、更为全球第六家可提供以6吋晶圆生产砷化镓芯片技术的厂商，预期将可大幅拉近我国在发展微波通讯芯片制造技术与国际大厂间的距离，并将使我国晶圆代工产业朝向高频率通讯芯片领域推进 |
