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英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
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纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中，少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器，而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预计到2030年将增长至110亿美元，预测期内的复合年增长率为15% |
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英飞凌新一代CoolGaN电晶体系列采用8 寸晶圆制程 (2024.07.11)
根据Yole Group预测，氮化??（GaN）市场在未来五年内的年复合成长率将以46%成长。英飞凌科技推出两款新一代高电压（HV）与中电压（MV）CoolGaN产品，让客户可以在更广泛的应用领域中，采用 40 V 至 700 V 电压等级的GaN装置，推动数位化与低碳化进程 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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EPC新推80 V和200 V eGaN FET (2021.06.17)
宜普电源转换公司（EPC）推出新一代氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)产品--EPC2065 和 EPC2054。 EPC2065是一款 80 V、3.6微欧姆的氮化镓场效应电晶体，可提供221 A?冲电流，其晶片级封装的尺寸?7.1 mm2，让整体电源系统的尺寸更小和更轻，并且成?电动出行、电动自行车和踏板车，服务、交付、物流机器人和无人机的32V/48V BLDC电机驱动应用的适用元件 |
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加速导入二维材料 突围先进逻辑元件的开发瓶颈 (2021.05.10)
二维材料是备受全球瞩目的新兴开发选择，各界尤其看好这类材料在延续逻辑元件微缩进展方面的潜力。 |
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片上变压器隔离门极驱动器的优势 (2020.12.04)
尽管隔离技术已经存在多年了，但已演变以满足新应用的需求，如可再生能源的逆变器、工业自动化、储能以及电动和混合动力汽车的逆变器和正温系数(PTC)加热器。 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由于7奈米及更先进制程愈趋复杂昂贵，正采用不同方法来提高效能，亦即降低工作电压并使用新IP区块来强化12奈米节点，而这些改变对于AI加速器特别有效。 |
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逻辑元件制程技术蓝图概览（上） (2020.11.10)
爱美科CMOS元件技术研究计画主持人Naoto Horguchi、奈米导线研究计画主持人Zsolt Tokei汇整各自的领域专长，将于本文一同呈现先进制程技术的发展蓝图。 |
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为什么选择GaN电晶体？ MasterGaN1告诉你答案 (2020.10.27)
MasterGaN1用于新拓扑。在设计AC-DC转换系统时，工程师可以将其用于LLC谐振变换器。 |
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零交叉侦测 IC可大幅降低生活家电待机功耗 (2020.09.16)
ROHM针对空调、洗衣机和吸尘器等生活家电，研发出零交叉侦测 IC－BM1ZxxxFJ系列产品，大幅降低待机功耗。 |
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遵循DO-254标准与流程 及重大/轻微变更的分类概述 (2020.08.12)
半导体特殊应用积体电路(ASIC)及标准产品都面临生产停产问题，正因如此，需要制造出外形、尺寸与功能都等效的器件。 |
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选定万用表的简单指南 (2020.07.07)
万用表是所有电子工程师操作台的必备重要物品，此类仪器可用于量测电压、电流、电阻等一系列关键电气参数，而且事实证明，在故障排除时亦非常有用。 |
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微缩实力惊人 台积3奈米续沿用FinFET电晶体制程 (2020.06.04)
台积电终于在今年第一季的法人说明会里，透露了其3奈米将采取的技术架构，而出乎大家意料的，他们将继续采取目前的「FinFET」电晶体技术。 |
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3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。 |
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再见摩尔定律？ (2019.10.07)
许多半导体大厂正积极研发新架构，都是为了找出一个全新的产业方向。龙头大厂开始重视晶片的创新，并持续以全新架构来取代旧有的晶片。 |
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EDA跨入云端环境新时代 (2019.09.11)
全球主要EDA供应业者，已经开始将一部分的IC设计工具，透过提供云端设计或验证的功能。并且未来可能针对各种不同领域或产业、制品技术等，都能够透过云端来完成所需要的 |
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解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战 (2019.06.11)
随着新型钛矽化技术的发展，来自爱美科（imec）的博士生Hao Yu，介绍了改进源/汲极接触方案，这将能解决先进CMOS技术接触电阻带来的挑战。 |
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贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。
QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW，为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体，拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围，适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用 |
