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TDSC推出中压、高容量、小型封装的光继电器 (2017.11.16)
[东京讯](BUSINESS WIRE)东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款采用小型2.54SOP4封装的新型光继电器TLP3145，该光继电器关闭状态输出端电压达200V，导通电流为0.4A |
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宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体 (2017.06.12)
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体
EPC2111氮化镓半桥功率电晶体?明系统设计师实现具高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率 |
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意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET (2017.06.08)
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率电晶体，可用于汽车马达控制、电池极性接反保护和高性能功率开关 |
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Dialog最新电源管理IC可大幅提升数位单眼相机功率效率 (2017.04.20)
高度整合电源管理、AC/DC电源转换、固态照明(SSL) 和低功耗蓝牙技术供应商Dialog Semiconductor plc今日发表DA6102，此为高度整合的电源管理IC (PMIC)，能为数位单眼相机(DSLR )、无反光镜相机(mirrorless camera)及多电池芯锂离子电池应用提供完整的电源解决方案 |
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EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体（eGaN FET）及积体电路的宜普电源转换公司（EPC）推出全新的EPC2045（7微欧姆、100 V）及EPC2047（10 微欧姆、200 V）电晶体，在提升产品性能的同时也可以降低成本 |
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东芝扩大新一代电晶体阵列产品阵容 (2017.03.15)
东芝公司(Toshiba)推出19款新产品，以扩大其配备DMOS FET[1]输出的新一代电晶体阵列产品阵容，旨在满足客户对更广泛的输出和输入方法以及功能的需求。 TBD62xxxA系列拥有37款现有产品，这些新元件的加入进一步扩大了该系列的产品阵容，它们广泛应用于马达、继电器、LED和控制通讯线路电平位移器等各种应用领域 |
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瑞萨成功开发「鳍状MONOS快闪记忆体单元」 (2017.02.03)
适用于16/14奈米以上制程节点的高效能、高可靠性微控制器
瑞萨电子(Renesas)宣布成功开发全球首创采用鳍状电晶体的分离闸金属氧氮氧矽(SG-MONOS)快闪记忆体单元，适用于电路线宽仅16至14奈米(nm)或更精细的微控制器(MCU)制程，且其中晶片内建快闪记忆体 |
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德州仪器600V GaN FET功率级彻底改变高效能电力转换 (2016.05.03)
根植于数十年的电源管理创新经验，德州仪器（TI）推出一款600V氮化镓（GaN）70 mU场效应电晶体（FET）功率级工程样本，进而使TI能够向大众供应高压驱动器整合的GaN解决方案的半导体厂商 |
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高效汽车音响系统电源IC 将电源系统架构最佳化 (2016.03.01)
传统汽车音响用系统电源IC，虽然设计较为容易，但因构造是以效率不佳的线性稳压器为中心，当各种设置运作时，就会面临到功率效率的问题。因此，系统电源IC也开始必须采用高效率的DC/DC转换器，对于高效率电源IC的要求已经愈来愈高 |
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东芝推出搭载1.5A漏型输出驱动器的DMOS FET电晶体阵列 (2015.12.22)
东芝（Toshiba）旗下半导体与储存产品公司推出新一代高效率电晶体阵列「TBD62064A系列」和「TBD62308A系列」，新一代产品搭载DMOS FET型漏型输出(sink- output)驱动器。这些新系列产品是已广泛应用于马达、继电器和LED驱动器等各种应用的双极电晶体阵列TD62064A系列和TD62308A系列的后继系列，而且是搭载1.5A漏型输出驱动器的DMOS FET电晶体阵列 |
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意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极（drain-to-source）崩溃电压（breakdown voltage）的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中 |
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Littelfuse高可靠性瞬态抑制二极体系列适合航空航太应用 (2015.07.01)
Littelfuse公司日前宣布推出六个高可靠性瞬态抑制二极体系列，其均经过升级筛选，适用于航空航太应用，另可提供可定制升级筛选和分类处理流程。 5KP/15KPA/30KPA-HR和5KP/15KPA/30KPA-HRA系列高可靠性瞬态抑制二极体专为保护敏感的电子设备免遭雷电浪涌和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压的损害而设计 |
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意法半导体新推出1200V IGBT低频电晶体 (2015.06.26)
意法半导体（STMicroelectronics,ST）推出S系列1200V IGBT绝缘闸极双极性电晶体。当开关频率达到8kHz时，新系列的双极元件拥有低导通及关断耗损，大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等相关设备的电源转换效率 |
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Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 (2015.03.27)
Diodes公司推出新稳压器ZXTR2105F，该产品整合晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式，有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装，可减少组件数量，以及节省微控制器应用的印刷电路板面积，例如个人计算机和服务器的直流散热风扇，以及工业与汽车市场的马达驱动器、排气扇和传感器应用 |
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英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源 (2015.03.17)
英飞凌科技（Infineon）与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型（强化模式）硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品，并整合至英飞凌的表面黏着装置（SMD）封装 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通导电阻与广泛封装范围 (2015.03.10)
高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻（Rdson）与输出电容（Coss）。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案，改善效率、成本效益与可靠度，更减少了组件数量，精简机板空间，为设计人员带来更大的弹性 |
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Diodes微型场效晶体管节省40%空间 (2015.02.13)
Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计，扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管，以及30V额定值的P信道组件，产品全都采用DFN0606微型封装 |
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宜普演示板采用氮化镓场效应晶体管实现音频高效 (2015.02.06)
宜普电源转换公司（EPC）推出新款采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load（BTL）设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展 |
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Diodes全新微型晶体管占位面积缩减40% (2015.01.30)
Diodes公司推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用DFN1006 (SOT883) 封装的同类型组件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气效能 |
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宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙，使电晶体的占板面积减少50% |
