 |
USB3.0 未来是红海还是蓝海？就看创新应用 (2010.01.25)
USB3.0从规格标准制定以来，就一直是话题热点，在CES展上，相关产品的展示地点更是史无前例地坐落在南馆的正中央，足见高速传输的魅力。创惟科技走过USB2.0时代，看好USB3.0在储存领域的发展，不过在此同时，也亟欲替USB3.0的超快速度找到适切的创新应用模式 |
 |
WD推出My Book 3.0桌上型外接硬盘 (2010.01.20)
WD公司推出My Book外接式硬盘-My Book 3.0桌上型外接硬盘，为市面上第一部支持超快速SuperSpeed USB 3.0接口的储存装置。My Book 3.0配备比USB 2.0还要快上10倍的SuperSpeed USB 3.0传输接口，可大幅减少开启与储存大型档案的时间 |
|
WD认养光华庭园落实节能减碳的绿能趋势 (2010.01.17)
WD公司于周一（1/11）宣布，即日起开始认养台北光华商场前的庭园区域，落实节能减碳的绿能趋势，同时推动社会公民维护环境美化的意识。环境认养期间WD除了定期种植花草绿化环境，净化空气外，亦有专人定期维护整理，考虑到商圈消费者的特性，特地于庭院当中设置欧风休憩桌椅，提供消费者逛街之余另可享受自然空间的好去处 |
|
Spansion拟收购前日本子公司之经销业务 (2010.01.14)
Spansion于前日（1/12）宣布已达成口头协议，计划收购前子公司Spansion Japan的经销业务；根据日本企业重整法的程序，该公司为东京地方法院即将处理的项目之一。Spansion亦口头核准一项新的晶圆代工服务协议，其中或将包括Spansion Japan的晶圆代工与测试服务 |
|
A-DATA推出全新XPG Gaming系列v2.0内存模块 (2010.01.11)
A-DATA近日宣布正式推出全新XPG Gaming系列v2.0内存模块，除了提供DDR3-1600、DDR3-1866以及DDR3-2200多种选择，更提供双信道包装及三信道包装以满足不同电玩玩家的需求。专为电玩玩家而设计的XPG Gaming 系列v2 |
|
CES 2010：芯微和Super Talent展USB3.0储存方案 (2010.01.07)
芯微科技（Symwave）以及Super Talent于昨日（1/6）共同宣布，两家公司将在1月7-10日于拉斯韦加斯举行的CES 2010上展示Super Talent的RAIDDrive，此为首款行动USB 3.0快闪碟。该产品使用Symwave的低功率芯片，具有可移植性并可接上标准USB 2.0埠也无需外部电源的特性 |
|
Tessera告输南科宏碁 DRAM产业明年看俏 (2010.01.04)
美国国际贸易委员会（ITC）跨年前夕送给DRAM产业界一个新年礼物！在去年的12月30日，ITC宣判美商Tessera对台湾DRAM厂商的专利侵权指控败诉。而DRAM模块厂昨日股价也升高，新的一年可望继续维持此番营运水平 |
|
集邦：明年下半年DRAM可能出现缺货 (2009.12.28)
内存市场研究机构集邦科技（DRAMeXchange）日前表示，随着消费者对内存容量的需求持续增加，以及企业开始替换旧计算机，预计明年下半年起，计算机内存芯片将可能会出现缺货的情况 |
|
LaCie与Symwave合推USB 3.0双硬盘储存方案 (2009.12.26)
LaCie公司与芯微科技（Symwave）公司于周三（12/23）共同宣布，推出采新型SuperSpeed USB (3.0)标准设计的双硬盘磁盘阵列(RAID)储存方案。其采用Symwave符合USB 3.0标准的双SATA与RAID桥接控制器，2Big USB 3.0最高容量可达4TB，并将内建Mac或PC适用的备份软件 |
|
CEVA和Gennum为嵌入式储存应用提供SAS 2.0 IP解决方案 (2009.12.21)
CEVA和Gennum旗下Snowbush IP Group（Snowbush）宣布双方结成合作伙伴，提供针对嵌入式储存应用而优化的完整Serial Attached SCSI（SAS） 2.0 IP解决方案。这款集成产品结合了Snowbush经硅验证的6.0Gbps PHY IP和CEVA的SAS 2.0 Controller IP |
|
SAMSUNG开始供应1Gb XDR DRAM (2009.12.10)
Rambus宣布三星电子（Samsung Electronics）将开始供应1Gb XDR DRAM内存装置。在Rambus XDR内存架构中，XDR DRAM为关键组件。Samsung的1Gb XDR DRAM装置有助于将XDR技术的运用范围扩展到游戏机、运算及消费性电子产品等应用 |
|
十铨科技推出高速记忆卡 (2009.12.07)
十铨科技（Team Group）瞄准高阶记忆卡市场，推出两款质精、稳定、耐用高速记忆卡Team CF 600X与Team SDHC Class10，CF读写速度最高可达90MB/Sec，SDHC也有22MB/Sec的读取水平。
十铨Team CF 600X采用采用新一代控制芯片与独家Turbo MLC技术，将CF卡的四信道传输效能推升到600倍速，搭配CF4 |
|
巨景科技4Gb Memory SiP产品进入量产 (2009.11.30)
巨景科技推出CT83 Memory SiP（4Gb DDRⅡ; x32bit），于第三季初导入知名日系相机厂商的高速薄型相机，此新款相机已于十一月底正式发售。数字相机轻薄且兼具多功能的市场趋势，让日系相机厂在高速连拍与高倍数变焦机种的设计上，也开始走轻薄体积 |
|
恒忆与Intel合作研究PCM技术 获关键性突破 (2009.11.02)
恒忆（Numonyx）与英特尔（Intel）宣布，相变化内存（PCM）研究的关键性突破，此项非挥发性内存技术结合了现今多种类型内存的优点。研究人员也首度展示可于单一芯片堆栈多层PCM 数组的64Mb测试芯片 |
|
慧荣Q3营收成长14% CDMA收发器Q4出货 (2009.11.02)
慧荣科技上周五（10/30）公布2009年第三季营收约2仟3佰万美元，较第二季成长14%。单季总出货量6仟7佰万颗，较前一季成长24%。第三季不含酬劳费用（员工认股权证）毛利率为48.5%，与第二季相比持平 |
|
ST发布内建先进90nm Flash的ARM系列MCU (2009.11.01)
意法半导体（ST）近日宣布，在基于ARM Cortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破，推出内建90nm嵌入式闪存的微控制器。此项新产品的特性包括快作业速度，高接口设备整合度，节省功耗以及密度极高的片上SRAM和非挥发性内存 |
|
旺宏电子推出全新256Mbit序列闪存 (2009.11.01)
旺宏电子于日前宣布推出256Mbit序列闪存产品─MX25L25635E。此产品采用32位寻址技术，利用简单的切换方式，即可让128Mbit内存容量提高至256Mbit或更高，并且还提供了能往后兼容于既有24位寻址的模式，使得系统工程师及制造商不需重大改动即可大幅地提高原有产品的功能及效能 |
|
ARM 针对低功耗及多媒体SOC 设计推出全新IP (2009.10.29)
ARM在周二(10/27)宣布推出ARM AMBA系列的新系统IP产品，包AMBA网络互联与进阶QoS、全新的易失存储器控制器，以及Verification and Performance Exploration工具。
AMBA网络互联(NIC-301)与进阶QoS (QoS-301) 可提供ARM Cortex CPU、Mali GPU及视讯处理器拥有的丰富媒体效果，并可在缩短延迟时间与保证带宽之间取得极佳平衡 |
|
RAMBUS新MMI技术 可降低行动内存功耗 (2009.10.28)
Rambus宣布其运用Mobile Memory Initiative（MMI）所开发的最新芯片测试达到突破性功耗效能。最新的芯片测试结果显示，高带宽行动装置的内存控制器透过MMI创新技术的运用可达到2.2mW/Gbps功耗效能 |
|
Cypress推出65奈米144-Mbit SRAM内存 (2009.10.27)
Cypress公司宣布推出单片式(monolithic)SRAM，密度可达144-Mbit，是65奈米 SRAM系列组件的最新成员。此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存，采用与晶圆代工伙伴联华电子连手开发的65奈米制程技术 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
