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NAND型闪存供不应求状况已获纾解 (2003.08.15)
据工商时报报导，第三季以来一直处于供不应求状态的NAND型闪存，在东芝、三星等主要供货商出货量大增下，缺货情况已经获得纾解，但因终端市场需求强劲以及供应厂端仍严控出货，内存价格仍持续向上攀升 |
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环隆电气成功策略布局汽车电子零组件市场 (2003.08.13)
全球DMS(Design & Manufacturing Service)厂商环隆电气成功策略布局汽车电子零组件市场，在美国汽车制造重镇印第安纳波里市建立第一个营运中心，完成客户业务开拓与技术支持服务 |
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全美达TM8000处理器导入闪存技术 (2003.08.05)
电子零组件代理商益登科技所代理的全美达 (Transmeta) 于8月5日宣布，它的新世代TM8000处理器将导入夏普微电子 (Sharp Microelectronics) 和意法半导体 (STMicroelectronics) 所发展的Low Pin Count (LPC) 闪存技术；这些技术提供设计弹性、业界标准支持和强大安全性，可协助全美达进一步实现省电运算的目标 |
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M-Systems与Toshiba共同研发NAND快闪式数据存储器 (2003.07.31)
生产快闪式数据存储器产品的厂商M-Systems与研发生产NAND快闪式内存的Toshiba东芝公司，7月31日宣布双方的合作关系将提升至全新层级，藉由签署综合协议，结合两家企业的一流技术，投入研发新的NAND快闪式数据存储器产品 |
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TI推出DDR-II锁相回路组件 (2003.07.24)
德州仪器 (TI) 宣布推出数据速率最高可达800 MByte/s 的DDR-II锁相回路组件，支持缓存器型 (registered) 内存模块。新组件提供业界最高工作频率、高效能、低讯号歪斜率、低讯号抖动和零延迟时间缓冲区，为设计工程师带来更宽广的时序预留空间 (timing margin)，使他们得以设计高速DDR内存模块，支持个人计算机、服务器、工作站和通讯应用 |
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2003下半年闪存市况将转佳 (2003.07.21)
根据市调机构iSuppli最新报告指出，由于2003年上半亚洲爆发SARS疫情、美伊战争、以及全球经济持续不景气等几项负面因素综合影响，使得2003上半年全球闪存（Flash）出货不如预期，但自2003下半年负面因素均已消失，整体闪存市场，可望有表现转佳 |
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日本与欧洲半导体业者积极开发新内存产品 (2003.07.16)
新一代之内存产品技术之研发，是全球半导体业者关注的焦点。日本松下电子（Matsushita）宣布该公司已开发0.18微米制程之嵌入式铁电内存（FRAM）；此外IBM微电子与英飞凌（Infineon）合资之欧洲半导体业者Altis，亦积极努力将新一代内存──磁性随机存取内存（MRAM）由实验室导入商业化 |
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中芯调涨晶圆代工价格 台系设计业者称庆 (2003.07.01)
据Digitimes报导，大陆晶圆业者中芯在产能出现供不应求的情形下，已悄悄调涨代工价格；IC设计业者指出，中芯已将内部0.2微米制程SDRAM与SRAM产品代工价格，由原先500美元附近的公订价格，一次调涨至600～700美元；此外0.2及0.18微米逻辑芯片制程，也正着手规划逐步上调价格 |
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iSuppli:全球NSE晶片市场Q1意外上扬 (2003.05.21)
根据市调机构iSuppli最新报告指出，2003年第一季全球NSE（network search engine）晶片市场的表现意外上扬，较上一季成长超过15％，IDT（Integrated Device Technology）与柏士半导体（Cypress Semi）分占前2名，占有超过7成的市场 |
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堆叠式构装在记忆产品之应用（下） (2003.02.05)
随着记忆体在各种电子产品中的应用日益广泛，记忆体产品的容量、功耗等要素，也成为越来越受到厂商与消费者的重视；本文接续135期，将继续深入介绍Flash等各种记忆体相关产品的发展趋势，并探讨堆叠式构装应用于记忆体产品之技术现况与未来挑战 |
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发展内存的重要性 (2003.02.05)
随着电子产品的更加广泛应用，内存组件的使用与市场也会不断扩增，这有三个层面，一是未来将大量的融入在SoC的整合制造中；一是单纯系统产品的独立内存组件仍旧需求不断且日新月异；另一是适应轻薄短小的时代需求，半导体存储元件所组成的扩充记忆装置，将大幅取代现有的磁盘记忆装置 |
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奇普仕公布十一月份营收 (2002.12.10)
奇普仕公司(Ultra)日前自结十一月份营收为7亿1仟余万元，累计营收达76亿1仟余万元。单月税前盈余为3480余万元创单月新高，累计税前达2亿7600余万元，每股税前盈余约为3.98元 |
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奇普仕前十月获利近69亿元 (2002.11.14)
奇普仕公司(Ultra)日前表示，该公司截至十月份自行结算累计营收近69亿元，相较于去年同期成长75%。累计税前盈余达2亿4100余万元，以目前(加权平均)股本6.9亿元计算，每股税前盈余约为3.5元，以今年目标估算，累计前十月营收及税前盈余分别达成同期预估之120%及98% |
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矽成推出Nor Flash与SRAM覆晶包装系列 (2002.10.24)
SRAM供应商-矽成积体电路，日前推出结合了Nor Flash与SRAM的覆晶包装(MCP - Multi-chip Package)系列，主攻需要同时用到Nor Flash与SRAM的可携式通讯产品市场，首批推出的覆晶包装系列即以目前主流市场的需求32Mbit Nor Flash加上4Mbit或8Mbit超低耗电SRAM作为组成架构，将可有效降低系统厂商的生产成本与设计空间 |
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奇普仕通过合并锦星科技案 (2002.10.21)
奇普仕公司于21日召开股东临时会通过合并锦星科技案，双方换股比率为1:1.6(民国91年6月30日为换股计算基期)，预定发行新股为17,909,500股，合并基准日预计为民国91年12月31日 |
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奇普仕公布前三季获利报告 (2002.10.18)
奇普仕公司日前表示，该公司截至九月份自行结算累计营收为60亿7700余万元，相较于去年同期成长80%。累计税前盈余达2亿2000余万元，以目前资本额7.1亿元计算，每股税前盈余约为3.1元，以今年目标估算，累计前三季营收及税前盈余分别达成同期预估之118%及98% |
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M-Systems控告JMTek侵权 (2002.10.11)
快闪数据储存装置厂商M-Systems日前表示，该公司已于2002年10月1日于美国联邦地方法院向JMTek LLC公司及其经销商提出告诉，控告JMTek LLC的产品"USB Drive"侵害该公司的专利技术的权利 |
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嵌入型系统之记忆体设计要领 (2002.10.05)
由于系统需要的记忆体数量相当大，因此SRAM会因成本过高、功率消耗大及比DRAM耗用更多的电路板空间，而不适用为系统主记忆体。在众多理由之下，DRAM成为许多嵌入型系统设计的最佳记忆体技术 |
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高速记忆体系统设计新挑战 (2002.10.05)
最大限度地减少设定的保存时间、存取时间不确定性和资料时滞是记忆体装置和控制器设计者面临的重要挑战。成功的装置实施必须考量电路技术、功率输送以及透过装置包的讯号传送 |
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记忆体系统级设计之机会与挑战 (2002.10.05)
从Commodity的杀戮战场，到加值性的设计服务，在系统化需求日益增加的今日，记忆体厂商有机会为自己开辟出新的经营模式。本文将从技术、应用及市场面向，探讨记忆体系统级设计的发展现况与前景 |
