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三星将支出3亿美元扩充DRAM产能 (2004.02.05)
网站Silicon Strategies消息指出，为因应DRAM需求攀升，南韩三星（Samsung）电子2004年度将支出3597亿韩元（约3.07亿美元），用来扩充DRAM产能。分析师认为，三星在致力于Flash市场维持竞争力的同时，也将尽力守住DRAM市场霸主地位，因此有必要持续针对这些重点内存产品加码投资 |
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美光今年资本支出将达16亿美元 (2004.02.05)
据道琼社（Dow Jones）消息，内存大厂美光（Micron）2004年度（2003年9月～2004年8月）资本支出将近16亿美元，其中大部份资金预计运用在维吉尼亚厂12吋产能扩充上。该公司在新年度除将技转12吋晶圆生产外，也将调整产品线生产比重 |
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从三星经验看「韩流」 (2004.02.05)
近年来南韩半导体产业的蓬勃发展为全球有目共睹，而其中三星电子集团的崛起与快速成长，更是业界关注的焦点，该公司挟其庞大资本、产能与先进记忆体技术，在国际市场地位日益显著；本文将由三星的发展历史与营运策略，为读者分析此一波强劲「韩流」走势 |
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NOR Flash销售比重将被NAND Flash逐渐赶上 (2004.01.27)
据市调机构iSuppli最新预测，由于市场需求持续高涨，Flash市场一路成长，推估2004年成长幅度将达近4成，值得注意的是，原本属Flash市场销售大宗的NOR Flash，将逐渐被NAND Flash赶上，所占的比重差距将在新的一年里大幅拉近 |
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FASL计划进军NAND型Flash市场 (2004.01.08)
据日本工业新闻报导，由日本富士通与超威（AMD）合资成立的NOR型闪存（Flash）业者FASL日前表示，该公司有意跨足NAND型闪存市场，并预定在2004年中推出相关产品，与三星、东芝等主力厂商分庭抗礼 |
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2004年NAND Flash市场将持续成长 (2004.01.06)
工商时报引述市调机构iSuppli之最新调查报告指出，三星与东芝2大业者掌控2003年全球约9成NAND闪存（Flash）市场，虽许多内存厂商宣布投产NAND芯片，但2004年由2大供货商寡占市场局势仍不会改变 |
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美光宣布跨足NAND Flash市场 (2003.12.31)
网站Semiconductor Reporter消息指出，DRAM大厂美光（Micron）宣布将跨足NAND型闪存（Flash）市场，以扩充该公司内存产品线。台湾DRAM厂认为美光之加入，将为NAND型Flash市场掀起新一波激烈竞争；但由另一角度来看，因DRAM厂产能陆续转做Flash，反而有助于DRAM价格止跌回升 |
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iSuppli预估2003年Flash市场将成长40％ (2003.12.31)
据市调机构iSuppli的最新调查报告，闪存（Flash）为所有半导体产业中成长速度最快的产品，估计2003年Flash市场将大幅成长40％，规模超过110亿美元，其中NAND型芯片需求大量浮现，且预估可在2006年取代NOR Flash成为市场大宗 |
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瑞萨追加330亿日圆投资 扩产闪存 (2003.12.29)
日本经济新闻报导，为缩短与三星电子与东芝之间的距离，日本半导体大厂瑞萨科技（Renesas）表示，将追加投资330亿日圆（约3亿美元），扩充闪存（Flash）产能。瑞萨2003年度设备投资预算为900亿日圆，此为该公司二度追加投资计划，预计全年度设备投资额已累积至1300亿日圆（约为12亿美元） |
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Hynix来台寻求利基型内存代工机会 (2003.12.15)
据Digitimes报导，因利基型内存面临产能吃紧压力，台系设计公司再度面临寻觅代工厂压力，据IC设计业者透露，部份内存设计公司与南韩内存厂海力士（Hynix）接触，寻求代工产能的可行性，Hynix近期派员来台获得初步协议，最快2004年上半128MB SDRAM产品线可导入试产 |
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茂德「科技群英会」广募新血 (2003.12.12)
茂德科技（ProMos）13日于新竹科学园区举办大规模的「科技群英会」人才招募活动，招募的对象包括了半导体制程、研发、信息技术、市场营销与管理等各领域的专业人才 |
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摩托罗拉半导体加速奈米晶体闪存研发时程 (2003.12.10)
已独立的摩托罗拉（Motorola）半导体部门（Semiconductor Products Sector；SPS）日前宣布，该公司已加速对于奈米晶体闪存（Nanocrystal Flash）研发时程；市场分析师指出，该款闪存将可至少向下延伸到45奈米制程节点，摩托罗拉预定2005年时可推出样本，并可在2005年将目前之90奈米制程进阶至65奈米 |
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Semico Research预估Flash缺货情况将持续4个月 (2003.11.27)
由于终端需求增加，目前市场正出现全球性的闪存（Flash）缺货状态，包括东芝等供应厂商随即宣布将增加资本支出，提高闪存产能，但据网站Silicon Strategies引述市调机构Semico Research报告，厂商扩产速度仍将缓不济急，估计目前闪存缺货期长达4个月 |
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日立数据系统发表Thunder 9580V系列 (2003.11.25)
企业储存方案供货商日立数据系统（Hitachi Data Systems）25日于台北红楼剧场举行「高阶Thunder 9580V模块化储存系统发表会」，会中针对最新产品Thunder 9580V系列做详细介绍，并发表多项储存服务解决方案，以及未来储存概念，提供现场来宾储存产品技术与趋势的最新信息 |
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记忆体秘密档案 (2003.11.05)
记忆体元件或记忆装置由其特殊性观察之，为逻辑元件与感测元件之间的媒介，必须具有随机存取的记忆功能，发挥支援系统之间各种运算与处理作业。本文以记忆体为主题，分类说明记忆体之特殊性、媒介性与功能作用，同时据此对照出记忆体未来可发展的方向 |
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Ovonic Unified Memory支持独立型内存与嵌入型装置应用 (2003.11.05)
OUM的数据储存作业是透过类似可复写CD或DVD光盘使用的硫属合金材料所制成的薄膜，藉由热引起的相位变化在无规律与多晶排列的状态之间进行切换。OUM技术被视为高密度、低电压、高cycle-count的非挥发性内存，适合于VLSI独立型内存以及各种嵌入型产品的应用 |
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浅谈磁性记忆体技术原理与前景 (2003.11.05)
新一代的磁性随机存取记忆体不仅拥有flash的非挥发特性，DRAM的高集积度以及SRAM的高速存取特性；同时MRAM还具有相当高的的读写次数寿命，几乎是兼具现有三大记忆体的优点，所以被称为下一代的梦幻记忆体 |
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英特尔将推出1GB手持式内存 (2003.10.16)
英特尔在今年台北举办的英特尔科技论坛（IDF）中宣布，将生产最高可达到1GB容量的手持式装置专用记忆系统。英特尔资深副总裁Ron Smith表示，此产品的技术架构采最新的高阶堆栈式封装，可将英特尔的StataFlash内存和易失存储器（RAM）堆栈在一起，做成大小只有8x11公厘的内存模块 |
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可携带行动装置 (2003.10.05)
行动装置繁多，可以大致归类成三个大项：通讯、储存和实时性的数据处理。分别满足人们随时通讯，和信息带着走及分析的需要。由这些项目的代表性产品来看，通讯是手机、或无线网络；储存是随身碟、数字相机等；实时性的数据处理就是Plam、Notebook，甚至掌上型电玩都算是其中一类 |
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MRAM为我国磁储存产业发展重点 (2003.08.20)
中央社报导，工研院光电所副所长黄得瑞于台湾磁性技术协会所主办的研讨会中指出，台湾目前磁性产业产值约为台币100至200亿元，且未来仍有发展空间，未来发展重点则是在磁储存技术领域，尤其是MRAM（磁阻式随机存取内存）技术的研发 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
