|
摩托罗拉推出第一款兆位MRAM (2002.06.11) 摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室于本周在2002年科技与电路超大规模集成电路座谈会(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中,联合发表第一款兆位MRAM(磁电阻式随机存取内存,magnetoresistive random access memory)通用内存芯片 |
|
ST发表32兆位闪存 (2001.11.21) ST日前发表一款在符合业界标准电压与温度条件下,速度最快的32兆位闪存。这颗高密度的M29W320D是采用ST领先业界的0.18微米闪存制程技术制造,适用于蜂巢式行动产品、个人数字助理、外围设备、游戏、以及其他先进数字通讯及消费性产品中 |
|
旺宏赶在2004年前布局MRAM及FRAM (2001.06.10) 国内闪存(Flash)大厂旺宏电子公司为取得未来进入系统单芯片(SOC)竞争优势,也加入新世代非挥发性内存-磁阻式随机存取内存(MRAM)及铁电随机存取内存(FRAM)开发,并计划赶在2004年前导入量产,以免被IBM及Infineon等国际整合组件大厂(IDM)抢食先机 |
|
联电与联邦半导体合作跨足MRAM领域 (2001.05.09) 联电为增加进入单芯片系统组(SOC)领域胜算,近期规划与联邦半导体结盟,共同跨足磁阻式随机存取内存(MRAM)研发生产,以取得未来SOC核心内存领先地位,超越IBM、摩托罗拉等领先厂商 |