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内存芯片年内回价无望 (2001.08.22)
由于供需差距过大，内存芯片公司表示，近期EDO与SDRAM价格虽已止稳、但今年内价格回升无望，但低功率(low power)SRAM因通讯产品库存水位迟迟无法下降，不仅近期报价混乱、甚至传出单周跌价二成的状况，芯片业者也预期要到明年下半年才能见转机 |
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晶豪陈兴海:未来DDR、RDRAM及SDRAM三强鼎力 (2001.06.19)
面对景气不振，国内存储器大厂晶豪科技总经理陈兴海表示，不排除128Mb SDRAM价格有破两美元的可能，主因是需求虽有增加、但供需不平衡情况仍严重。另外，陈兴海认为，在英特尔力拱之下，未来Rambus DRAM、DDRDRAM与SDRAM将呈现三强鼎立的局面 |
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茂硅积极展开DDR内存布局 (2001.06.10)
美商微软电玩游戏机X-Box量产在即，该机款的内存配备采用倍速数据传输 (DDR)内存，国内DRAM厂商如茂硅等公司，近来积极争取DDR内存订单，茂硅已在DDR内存领域展开布局。
茂硅7日发表256Mb DDR SDRAM产品与高密度的DDR模块样品，茂硅今年初推出128Mb DDR SDRAM后，继续推出256MbDDR SDRAM |
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茂硅积极展开DDR内存布局 (2001.06.08)
美商微软电玩游戏机X-Box量产在即，该机款的内存配备采用倍速数据传输 (DDR)内存，国内DRAM厂商如茂硅等公司，近来积极争取DDR内存订单，茂硅已在DDR内存领域展开布局。
茂硅7日发表256Mb DDR SDRAM产品与高密度的DDR模块样品，茂硅今年初推出128Mb DDR SDRAM后，继续推出256MbDDR SDRAM |
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升丰证券：DDR下半年才成为主打产品 (2001.04.11)
当前的几家芯片组厂商及包括英特尔、超威等，都把DDR内存规格做为今年主推的重点，根据升丰证券日前的研究报告指出，今年上半年的芯片组市场，其主战场应该是在PC133 SDRAM，DDR相关产品则需到下半年才会渐成主流 |
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DDR主板第二季将更趋稳定 (2001.03.13)
当内存模块从SDRAM过渡到DDR(倍速数据传输内存)，主板的选择愈来愈多。加上英特尔的裁员效应，DDR登上主流产品的架势十足，预估DDR的主板第二季会更趋稳定。
目前市面上的混合型主板，多是同时搭配二条SDRAM内存模块插槽和二条DDR内存模块插槽 |
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力晶成功试产0.18微米制程256Mb SDRAM及DDR SDRAM (2001.03.09)
新竹科学园区厂商力晶半导体公司日前宣布，该公司已试产成功0.18微米制程的256MbSDRAM，且将同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速数据传输内存)产品并进行验证，预计第二季投产，初估至年底月出货量可接近百万颗 |
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力晶半导体0.18微米制程256Mb SDRAM试产成功 (2001.03.02)
力晶半导体公司昨日表示，该公司已试产成功0.18微米制程的256Mb SDRAM，且同步推出256Mb DDR内存产品，正进行验证，预计第二季开始正式投产，初估至年底月出货量将可接近百万颗 |
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勤茂发表184脚位数SDRAM模块 (2001.02.21)
勤茂科技和硅统科技合作，由勤茂推出184脚位数的SDRAM内存模块搭配硅统芯片组，期以SDRAM内存模块加速DDR DRAM（倍速数据传输内存）的市场接受度。
勤茂采用SDRAM颗粒，也就是将168脚位数SDRAM内存模块上的内存IC，移植到184脚位数的模块板上，使其能共享硅统芯片组主板的184脚位数DDR内存插槽 |
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美光将发表低功率DRAM抢攻无线通信市场 (2001.02.07)
SDRAM今年前景未明，为寻求产业第二春，ＤＲＡＭ巨擘美光(Micron)将在下周于美国发表低功率(low power)DRAM，产品定名为BAT-RAM，将抢攻无线通信市场，Infi neon、韩国三星等随后也都将在下半年推出低功率DRAM样本，预料将逐渐对低功率SRAM产生冲击 |
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明年第四季DDR内存可望成为新主流 (2000.12.21)
DDR内存规格主导者之一的美光(Micron)台湾分公司表示，明年128Mb的DDR DRAM价格可望降至一百美元以下，第二季供货量将明显提升，下半年与同等容量SDRAM价差有机会减少至10%至15%间，明年第四季DDR蔚为主流机率甚高 |
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明年年中之后DDR主板方能在市场表现 (2000.12.14)
SDRAM报价跌破三美元后，大幅拉开SDRAM与DDR内存的价格差距，国内主板厂商华硕、技嘉与升技认为，明年DDR主板要在市场表现须到明年中之后，较原先预期的第二季更晚。值得注意的是 |
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英特尔明年以SDRAM为市场主流趋势 (2000.11.01)
于Rambus DRAM价格居高不下，英特尔计划将RDRAM规格锁定于伺服器与工作站等高阶市场使用，但据了解，英特尔也不认为ＤＤＲ明年会有绝对优势的市占率，因此明年主流市场仍将以SDRAM为主，支援ＤＤＲ的晶片组将只有明年底的Brookdale，但已证明英特尔主流市场转向趋势已确立 |
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AMD推出新款760晶片组 (2000.10.31)
美商超微(AMD)于10月30日发表760晶片组，其速度为200 MHz及266 MHz，能让电脑制造商将AMD之Athlon处理器与DDR DRAM或SDRAM相连结。
将DDR记忆体与此新晶片组相结合，的确可加快资料从记忆体传送到处理器的流量 |
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勤茂明年将主推DDR记忆体模组产品 (2000.10.10)
勤茂科技主要提供记忆体模组产品(SIMM/DIMM/SO-DIMM/RIMM/AIMM...等)、快闪记忆卡(ATA Card/CompactFlash Card/SmartMedia Card...等)以及其他整合型产品相关之研究、发展、制造及销售，以高密度、高品质、高效能之记忆体模组产品为目标市场 |
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ITC将对Rambus的要求进行调查 (2000.10.09)
美国政府国际贸易委员会(International Trade Commission；ITC)表示，将会针对南韩现代电子(Hyundai Electronics)侵犯其竞争对手Rambus记忆体晶片专利权一事进行调查。 Rambus之前曾要求ITC对现代电子提出一项禁止令，禁止现代及其在美国的分公司于美国本土贩卖某种SDRAM |
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创见本月份推DDR 200/266记忆卡 (2000.10.02)
创见资讯将于本月份推出DDR (Double Data Rate) 200/266记忆卡。创见记忆卡产品经理黄胤峰表示：「此次推出DDR200/266系列产品，容量为128MB及256MB，184PIN。执行资料的速度将可以比原有的SDARM提升，并且工作电压也降低为2.5Volts，所以消费者在使用时电脑可以更省电 |
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勤茂科技开发完成AIMM模组 (2000.09.28)
配合英特尔815(Solano)晶片组所需的影像快取记忆体模组(AIMM)，勤茂科技已于日前开发完成AIMM模组，并通过国内各大主机板厂815主机板的相容性测试。
Solano晶片组内的AGP介面主要有两项功能，AGP影像显示卡及快取记忆体 |
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勤茂完成DDR模组的样品开发 (2000.09.25)
勤茂科技在新一代DDR(Double Data Rate) 模组的研发上，日前已完成DDR模组的样品开发，并已通过现有平台的测试，待支援DDR的晶片组上市后，勤茂的DDR模组可随时配合市场的需求进行量产 |
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Rambus再度控告Infineon侵权 (2000.09.15)
反击美光与现代的控告，Rambus日前正式发表声明，指出德国半导体制造公司Infineon侵犯其电脑记忆体专利权，并在德国曼汉地方法院提出告诉；总计全球前10大记忆体厂商中，已有7家与Rambus达成或洽谈协议当中
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