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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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[SEMICON]筑波与鸿劲精密联手展示先进化合物半导体与矽光子技术 (2024.09.05)
筑波科技（ACE Solution）与鸿劲精密（Hon. Precision）携手叁与SEMICON Taiwan 2024国际半导体展，展示光电整合矽光子测试技术、精密量测及自动化机台的整合，着重高密度与光电结合测试方案 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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Kulicke & Soffa 积极布局台湾 聚焦先进封装与智能制造 (2024.09.04)
半导体封装和电子装配解决方案提供商 Kulicke & Soffa Pte Ltd. (K&S) 於 SEMICON Taiwan 2024展出，展示其在先进封装、先进点胶、球焊与楔焊、以及最新的垂直焊线晶圆级焊接制程等领域的解决方案 |
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意法半导体新车规单晶片同步降压转换器让应用设计更弹性化 (2024.08.29)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新系列汽车级降压同步DC/DC转换器，新产品有助於节省电路板空间，简化车身电子、音讯系统和逆变器闸极驱动器等应用设计。A6983转换器系列包括六款低功耗、低杂讯非隔离型降压转换器和一款隔离型降压转换器A6983I |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
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ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用 (2024.08.28)
在汽车领域，随着安全性和便利性的提高，电子产品逐渐增加，电子元件数量也与日俱增，而为了提高燃油效率和降低电耗，更是要求需降低上述产品的功耗。其中针对车电开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求逐渐高涨 |
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为绿氢制造确保高效率且稳定的直流电流 (2024.08.27)
本文探讨绿氢的原理，并且展示如何运用功率组件，将环保能源的输入转换为具有产生绿氢所需特性的稳定电力输出。 |
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100％绿电运营 英飞凌启用全球最大8寸SiC功率半导体晶圆厂 (2024.08.08)
英飞凌科技宣布，其位於马来西亚的新厂一期建设正式启动运营。建设完成後，该厂将成为全球最大且最具竞争力的8寸碳化矽（SiC）功率半导体晶圆厂。马来西亚总理拿督思里安华、吉打州务大臣拿督思里莫哈末沙努西与英飞凌执行长 Jochen Hanebeck 一同进行启用仪式 |
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德州仪器与台达电子合作 推动电动车车载充电技术再进化 (2024.07.03)
德州仪器（TI）与台达电子展开长期合作，共同开发次世代电动车车载充电与电源解决方案。这项合作将於双方在台湾平镇的创新联合实验室进行，结合双方在电源管理与电力传输方面的研发量能，共同推动功率密度、效能与尺寸最隹化，加速实现更安全、充电快速和实惠的电动车 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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测试用出版档案 (2024.06.28)
系统测试用 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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TI首款GaN IPM问世 实现更小更具能源效率的高电压马达设计 (2024.06.26)
德州仪器 (TI) 推出适用於 250W 马达驱动器应用的 650V 三相 GaN IPM（Intelligent Power Module）。这款全新 GaN IPM 能协助工程师克服在设计大型家用电器以及暖通空调（HVAC）系统时常面临的多数设计与性能的问题 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20)
电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋，激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求，安森美采取了战略举措，宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂 |
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CML Ka波段GaN功率放大器用於商用卫星通讯终端设备开发 (2024.06.18)
CML Micro推出Ka波段氮化??（GaN）功率放大器CMX90A705，这是一个商用卫星通讯终端设备，并具有高成本效益的构建元件。CMX90A705是一款封装两级GaN线性功率放大器，可提供+37.4 dBm（5.5 W）饱和功率，覆盖27.5至31GHz频率范围，小讯号增益为16.5 dB |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
