账号:
密码:
鯧뎅꿥ꆱ藥 27
Microchip 28奈米SuperFlash嵌入式快闪记忆体解决方案开始量产 (2023.09.28)
GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半导体(SST)今(28)日宣布,采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。 随着边缘智慧化水准的不断提高,嵌入式快闪记忆体的应用也呈爆炸式增长
TrendForce:2018年大陆晶圆制造12寸月产能逼近70万片 (2018.01.22)
根据全球市场研究机构TrendForce最新「中国半导体产业深度分析报告」指出,高资本支出的晶圆厂建设专案备受业界关注,尤其是近期士兰微、粤芯等新一批晶圆制造专案的出现,将使得产业竞争升温,并且带动产能扩增,预估至2018年底中国大陆12寸晶圆制造月产能将接近70万片,较2017年底成长42
中国大陆晶圆代工厂冲刺28奈米制程 (2017.04.10)
随着联电厦门子公司联芯的28奈米先进制程计画在今年第二季正式量产,TrendForce旗下拓墣产业研究院指出,中国大陆本土晶圆代工厂今年将冲刺在28奈米先进制程的布局,进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子,然而,随着外资纷纷于中国大陆设立晶圆厂,本土晶圆代工厂面临技术、人才、市场上的直接竞争压力
ARM与联华电子最新28HPC POP制程合作 (2016.02.15)
全球IP矽智财授权厂商ARM宣布即日起联华电子的28奈米28HPCU制程可采用ARM Artisan实体IP平台和ARM POP IP。 此举扩大了ARM 28奈米IP的领先地位,让ARM合作伙伴生态圈​​能够透过所有主要的晶圆代工厂取得完整的28奈米基础IP
GLOBALFOUNDRIES推出22奈米FD-SOI技术平台 (2015.07.15)
为满足下一代连网装置超低功耗的需求,GLOBALFOUNDRIES推出研发的最新半导体技术:22FDX平台,能达到如FinFET的性能和能效,成本趋近于28奈米平面式(Planar)技术,适用于不断推陈出新的主流行动、物联网、RF连结及网路市场
力旺电子NeoFuse技术于16nm FinFET成功完成验证 (2015.05.06)
力旺电子宣布,其单次可程序(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse技术于16奈米鳍式晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)制程平台成功完成验证,并在今年度完成硅智财开发和导入客户应用
益华计算机与GLOBALFOUNDRIES发表28 奈米超低功率制程ARM Cortex-A12处理器芯片设计定案 (2014.03.17)
益华计算机(Cadence Design Systems Inc.)于2014年美国硅谷举办的CDNLive大会中,与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)共同宣布,已经将具备ARM Cortex-A12处理器的四核心测试芯片设计定案。以高达2
大联大控股世平推出瑞芯微电子多媒体播放器解决方案 (2014.02.11)
致力于亚太区市场的零组件通路商大联大控股今日宣布,旗下世平将推出瑞芯微电子(Rockchip)RK3188多媒体播放器解决方案。 近几年来随着用户对影音需求的提高,内建网络联机功能、支持常见影音档案的多媒体播放器或外接盒产品越来越多
ARM与联华扩大28奈米IP合作 锁定平价行动与消费性应用 (2014.01.14)
IP硅智财授权厂商ARM与晶圆专工大厂联华电子今(14)宣布扩大合作协议,将提供ARM Artisan实体IP与POP IP供联电28HLP制程使用。 针对锁定智能手机、平板、无线与数字家庭等各式消费性应用的客户,联华电子与ARM将透过本协议,提供先进制程技术与全方位实体IP平台
GLOBALFOUNDRIES全新中国办公室在上海正式成立 (2013.09.09)
GLOBALFOUNDRIES(格罗方德半导体)今日宣布在上海正式成立新的中国办公室,此举旨在进一步提升公司在迅速发展的中国市场之影响力,并致力于为本土客户与半导体行业提供更好的服务
UMC与SuVolta 宣布联合开发28奈米低功耗制程技术 (2013.07.24)
联华电子公司与SuVolta公司,宣布联合开发28奈米制程。该项制程将SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)晶体管技术整合到UMC的28奈米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)制程。SuVolta与UMC正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗,并提高SRAM的低电压效能
瑞芯微电子采用 GLOBALFOUNDRIES 28nm HKMG 制程技术 (2013.06.18)
GLOBALFOUNDRIES 与福州瑞芯微电子有限公司 (Fuzhou Rockchip Electronics Co., Ltd.) 今日宣布,瑞芯微电子的新一代行动处理器将开始量产,并采用 GLOBALFOUNDRIES 的 28nm 高介电金属闸极 (HKMG) 制程技术
14nm将改变可编程市场游戏规则 (2013.04.22)
近年来,FPGA应用需求与日俱增,不论是无线通信基础设备、工控自动化、连网汽车、医疗成像以及航天军事等嵌入式应用领域,都相当需要FPGA的可编程逻辑组合实现各种功能
2013行动装置芯片处理器大汇串 (2013.01.15)
一年一度的CES 2013消费者电子展已完美落幕,各家厂商无不奋力展示自家极具创新的技术与产品。可以预见的是,2013绝对还是行动装置设备的大时代,连一向统治PC领域多年的Intel,也不得不对臣服于这波『行动装置势力』狂潮
ISSCC 2013精采论文抢先看 (2012.12.01)
第六十届国际固态电路研讨会(ISSCC 2013)明年二月将于美国旧金山举行,本次大会主题为「供给未来动力的六十年」。此研讨会由IEEE协会主办,被半导体业视为「芯片设计奥林匹克竞赛」,许多重量级半导体前瞻技术的论文都选择在此会议中发表
台积电推20奈米及3D IC设计参考流程 (2012.10.12)
台积电日前(10/9)宣布,推出支持20奈米制程与CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技术的设计参考流程,展现了该公司在开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP)架构中支持20奈米与CoWoS技术的设计环境已准备就绪
双核更胜四核 iPhone5是A15 inside? (2012.09.14)
在iPhone 5问世前,大家都在猜,其核心的A6处理器应该是4核心的架构,不然,就太逊了!不过,虽然Apple在发表会中没有明讲,但市场推估新一代的A6该是采用双核心的架构没错,其性能不输4核心架构,但省电效果更佳、尺寸也更低
GLOBALFOUNDRIES 硅芯片验证 28nm AMS 生产设计 (2012.06.18)
GLOBALFOUNDRIES 日前拟利用高介电常数金属闸极 (High-k Metal Gate, HKMG) 展示其 28nm 超低功率 (SLP) 技术的强化硅芯片验证设计流程。透过最新的设计自动化技术,该设计流程为进阶模拟/混合讯号 (AMS) 设计提供了全面可靠的支持
猎杀晶圆代工龙头 (2011.12.28)
三星宣布扩产晶圆代工,将在2012年大幅提高晶圆代工的业务投资,从2011年的38亿美元,增加至2012年的70亿美元,目标只有一个,就是赶上台积电;而目前坐三望二的格罗方德(Global Foundries;GF),近期也悄悄来台,打算收购力晶的厂房,进一步提高产能,目标也同样,就是坐上龙头的位置
半导体制造产能利用仅八成 两年甭想回升 (2011.10.14)
研究机构Gartner日前发表半导体制造市场的趋势预测。资本支出大幅增加、市场需求疲弱以及令人担忧的高库存水位;三项负面因素让2011年半导体产业营收约2990亿美元,整体产能利用率掉至八成


     [1]  2   [下一頁]

  跥Ꞥ菧ꢗ雦뮗
1 Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统
2 Basler全新小型高速线扫描相机适合主流应用
3 宇瞻智慧物联展示ESG监控管理与机联网创新方案
4 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列
5 SCIVAX与Shin-Etsu Chemical联合开发全球最小的3D感测光源装置
6 宜鼎推出DDR5 6400记忆体,具备同级最大64GB容量及全新CKD元件,助力生成式AI应用稳定扎根
7 瑞萨与英特尔合作为新款Intel Core Ultra 200V系列处理器提供最隹化电源管理
8 Bourns SA2-A系列GDT高浪涌电流等级提升电气性能和浪涌保护
9 三菱电机新型MelDIR品牌80×60像素热二极管红外线感测器
10 意法半导体新款750W马达驱动叁考板适用於家用和工业设备

AD

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw