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??侠推出全新第八代 BiCS FLASH技术的2Tb QLC样品 (2024.07.03)
??侠公司（Kioxia）宣布第八代2Tb四层单元（Quad-Level-Cell；QLC）样品开始供货BiCS FLASH 3D快闪记忆体技术。这款2Tb QLC设备将储存设备提升到高容量，将推动包括AI在内的多个应用领域成长 |
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建兴储存推出首款浸?式液冷SSD 锁定AI运算资料中心 (2023.08.07)
近年来人工智慧（AI）热度持续延烧，资料中心成为全新的运算单位。为了满足现今大规模资料中心的严苛要求，??侠（KIOXIA）子公司建兴储存科技推出全球第一款支援浸?式冷却保固5年的ER3系列企业级SATA SSD产品 |
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Kioxia新一代UFS Ver. 4.0装置优化内置储存传送速率 (2023.06.01)
为持续推进通用快闪记忆体存储技术（UFS）发展，Kioxia推出新一代UFS Ver. 4.0 嵌入式快闪记忆体存放装置，采用小型封装，可提供快速的内置储存传送速率，并针对各种下一代行动应用程式进行优化，包括先进的智慧型手机 |
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??侠新一代BG6系列SSD搭载第六代BiCS FLASH 3D快闪记忆体 (2023.05.23)
??侠（KIOXIA）宣布KIOXIA BG6系列将加入其PCIe 4.0固态硬碟（SSD）产品系列 - 这是首款搭载全新第六代BiCS FLASH 3D快闪记忆体的产品，其性能相较於前一代产品提升将近1.7倍。
强大且小巧的KIOXIA BG6系列客户级SSD专为PC用户所设计，充分利用了PCIe 4 |
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??侠和Western Digital宣布最新3D快闪记忆体技术资讯 (2023.03.31)
??侠公司 (Kioxia ) 和Western Digital 公司宣布最新 3D 快闪记忆体技术资讯，展示持续创新。该 3D 快闪记忆体采用先进的缩放和晶圆键合技术，提供卓越的容量、性能和可靠性，适合满足广泛市场领域呈指数级增长的资料需求 |
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宇瞻旗下ZADAK推出TWSG4S PCIe Gen4 x4固态硬碟 (2022.05.23)
宇瞻科技近年来积极布局电竞市场，旗下的电竞品牌ZADAK於本月推出最新的TWSG4S PCIe Gen4 x4固态硬碟，以7,400 / 7,000 MB/s的极致效能，傲视群雄超越同级PCIe Gen4 SSD竞品。TWSG4S提供超薄石墨烯及铝制散热鳍片两款散热片，可有效降温15%及35%，避免系统热当、维持稳定效能，尺寸及效能皆符合PS5游戏主机容量扩充需求，是电竞玩家的致胜关键 |
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宇瞻推出AS2280Q4U M.2 PCIe固态硬碟 满足高速运算需求 (2022.05.04)
宇瞻科技近期推出专为影音创作者及顶级游戏玩家打造的AS2280Q4U M.2 PCIe固态硬碟，此款产品采用PCIe Gen4 x4最新极速介面，以7,400 / 7,000 MB/s的领先效能，再创PCIe Gen4 SSD的速度巅峰 |
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??侠与WD共同投资日工厂增建快闪记忆体制造设施 (2022.04.18)
产品数位化趋势加速推动对於记忆体制造应用的需求，??侠株式会社(Kioxia)和Western Digital继20年策略合资夥伴关系，再迈向一重要里程碑，两家公司签订正式协议，将在??侠位於日本三重县的四日市工厂共同投资Fab7 (Y7)制造设施的一期工程 |
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Western Digital与??侠共推第六代126层3D快闪记忆体 (2021.02.25)
Western Digital与??侠株式会社（Kioxia），今日共同宣布完成第六代162层的3D快闪记忆体（BiCS6）技术开发，为双方20年的合作关系立下一个全新里程碑。
第六代3D快闪记忆体拥有超越传统八维堆叠储存通孔阵列的先进架构 |
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Marvell助Toshiba Memory推出NVMe-oF乙太网路SSD (2019.08.14)
Marvell今日宣布扩展其NVMe over Fabrics(NVMe-oF)产品组合。这些突破性解决方案包括使用Marvell NVMe-oF SSD转换控制器的Toshiba Memory原生NVMe-oF乙太网路SSD，是可以直连乙太网路的SSD |
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东芝记忆体和Western Digital投资日本快闪记忆体工厂 (2019.05.20)
东芝记忆体株式会社和Western Digital已经达成正式协定，共同投资东芝记忆体目前正在日本岩手县北上市建造的“K1”制造厂。
K1工厂将生产3D快闪记忆体，以支援资料中心、智慧型手机和自动驾驶汽车等应用不断成长的储存需求 |
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东芝推出采用96层3D快闪记忆体的1TB单一封装PCIe Gen3 x4L SSD (2019.01.14)
东芝记忆体株式会社(Toshiba Memory Corporation)推出BG4系列，该新系列单一封装NVMe SSD储存容量高达1,024GB，在单一封装中嵌入创新性96层3D快闪记忆体和全新控制器。
该新系列单一封装SSD采用PCIe Gen3 x4通道，循序读取性能高达2,250 MB/s，且快闪记忆体管理得到改善，提供业界领先的随机读取速度，每秒读写操作的次数高达380,000 |
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美光携手多家影像监控解决方案品牌 推广「监控级」边缘储存 (2018.04.12)
美光科技公司推出128GB与256GB容量的边缘储存microSD卡解决方案，并与多家影像监控解决方案领导品牌携手，推广监控级边缘储存。新推出的解决方案是采用美光64层3D TLC NAND技术，可以更小尺寸提供更大容量，摄影机本身可储存长达30天的监控影像 |
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贸泽供货Renesas Electronics RX130 32位元微控制器 (2018.03.22)
东芝记忆体株式会社推出其具备多种外形尺寸的NVM Express (NVMe)和SATA资料中心固态硬碟(SSD)最新系列，为云端资料中心提供可靠的效能和可靠性，同时降低了NoSQL资料库、巨量资料分析和串流媒体等读取密集型应用程式的工作功率 |
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东芝推出64层3D快闪记忆体的增强型资料中心SSD (2018.03.22)
东芝记忆体株式会社推出其具备多种外形尺寸的NVM Express (NVMe)和SATA资料中心固态硬碟(SSD)最新系列，为云端资料中心提供可靠的效能和可靠性，同时降低了NoSQL资料库、巨量资料分析和串流媒体等读取密集型应用程式的工作功率 |
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全新制程容量大跃进 达明电子新品PC100 NVMe SSD亮相FMS峰会 (2017.08.09)
一年一度的全球电子盛会Flash memory summit 於美国Santa Clara Convention Center举行，企业用固态硬碟厂商达明电子与Microsemi於AB馆摊位213展出，广明光电旗下达明电子TECHMAN SSD，挟带全新制程及新一代NVMe控制器，全力抢攻企业级固态硬碟市场 |
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Toshiba/WD携手共拓3D NAND新时代 (2016.07.15)
日本半导体制造商Toshiba（东芝）与电脑硬碟大厂Western Digital（威腾电子）共同庆祝日本三重县四日市新设半导体二厂的开幕仪式。
由于Flash Memory（快闪记忆体）在智慧型手机、SSD（固态硬碟） |
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东芝购地兴建半导体生产新工厂 (2016.02.04)
东芝公司(Toshiba)收购一个面积为15万平方公尺的土地，来为其专有3D快闪记忆体BiCS FLASH未来的扩大生产做准备，该地毗邻公司位于三重县四日市的记忆体生产基地。该地与这一记忆体生产基地的东部和北部毗连，将耗资大约30亿日圆 |
