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100％綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
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工研院攜手荷蘭商Altum RF與稜研科技 開發衛星通信系統 (2022.12.16)
為了達到高速且低延遲的通訊品質，高頻毫米波的處理器、低成本射頻零組件，整合多元零組件於單一模組的封裝天線（Antenna in Package；AiP）成為各廠必爭之地。工研院攜手荷蘭商Altum RF與台灣的稜研科技，投入擁有更高輸出功率性能、功率密度高的衛星通信系統開發，以高速、低雜訊元件在低軌衛星通訊供應鏈中站穩關鍵模組地位 |
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Micro LED用於AR眼鏡晶片 估2026年產值達4,100萬美元 (2022.07.02)
迎接元宇宙世代降臨，根據TrendForce最新Micro LED報告研究顯示，在眾多Micro LED顯示應用領域中，又以Micro LED微型顯示器會是接續大型顯示器發展的新型高階產品，預估截至2026年為止，用於AR智慧眼鏡顯示器晶片的產值將達到4,100萬美元 |
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英飛凌投資擴大馬來西亞前端製造工廠 提升SiC和GaN產能 (2022.02.22)
為了大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區 |
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碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術 (2021.06.18)
在化合物半導體材料領域，環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局，著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位，才能夠在國際市場上脫穎而出 |
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ST收購氮化鎵創新企業Exagan股權 擴大高頻大功率開發計畫 (2020.03.11)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）已簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務 |
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新世代的電力電子 將讓電動車更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：歐盟的HiPERFORM將推出寬能隙的電力電子，並運用在下世代的電動車之中。 |
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意法半導體和Leti合作開發矽基氮化鎵功率轉換技術 (2018.09.28)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵（GaN）功率切換元件製造技術。該矽基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器 |
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全球百大科技研發獎出爐 工研院奪九大獎項 (2017.11.20)
獲獎技術名稱
得獎技術說明
技轉廠商
人工智慧建築節能系統平台
只要15-30幾分鐘就能計算出整棟建築物的耗能，提供最佳的節能良方，目前已用在華南銀行全國150間分行、全家便利商店，潤泰集團旗下之潤弘精密工程，亦即將採用於評估建築節能分析 |
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iST建高階TEM，聘權威-鮑忠興博士，材料分析能量大躍升 (2014.05.12)
隨著半導體產業不斷尋求朝20/14奈米製程發展之際，電子驗證測試產業-iST宜特科技在材料分析不缺席。iST宜特今(5月12號)宣布除了佈建目前業界EDS元素分析能力最強的TEM設備：JEM-2800外，更和成大微奈米中心進行材料分析技術開發合作，同時聘請該中心副研究員、國內頂尖TEM權威－鮑忠興博士擔任顧問，設備與技術能量一次到位 |
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最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世 (2013.08.19)
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻（RDS(on)）和更快的開關性能 |
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單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班 (2012.08.17)
課程介紹
實驗室實際操作課程，限額12人，名額有限，請速報名！！
LED結構通常以MOCVD設備進行量產，MOCVD磊晶技術將悠關整體LED結構良率與亮度，MOCVD磊晶需具備多方面知識備景，同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果，本課程介紹MOCVD磊晶原理與應該注意事項，同時介紹目前業界對 LED於磊晶可能面臨相關問題先行進行預防 |
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單元三：LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計 (2012.08.03)
課程介紹
本課程著重於使學員瞭解LED原理與製程技術。探討現今影響發光二極體效能之因素，並以實驗結果結合模擬理論分析清楚地介紹其機制為何，使得學員不單單只是了解到發光二極體之結構設計，更可清楚的了解其背後之物理機制等，並分享實際案例與現今文獻作比較 |
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LED關鍵製程、設備與量測技術系列課程 (2012.07.06)
課程介紹
台灣LED產業結構中在生產製造部份已相當的完整，但關鍵材料與生產設備仍多仰賴進口，LED結構通常以MOCVD設備進行量產，但缺乏設備廠商支援，使我國LED產業難以維持競爭優勢 |
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LED磊晶製程與熱阻量測技術訓練班 (2010.09.23)
LED由於具備省電、壽命長、反應時間快、環保及固態元件耐震動之優勢，已逐漸取代市面上的各種發光源。而於開發應用於固態照明白光LED之三大重要技術中，主要以上游磊晶部分需投注最多的研發人力及物力 |
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LED磊晶製程與設備技術研討會 (2010.09.16)
舉辦LED磊晶製程與設備技術研討會，旨在促成國內LED業者於磊晶製程設備及製程技術之研討與經驗交流，促進製程與設備技術之發展升級，並提供一製程與設備業者相互的交流機會 |
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歐司朗新高電流LED打造高亮度投影機 (2010.07.13)
歐司朗光電（Osram）於日前宣佈，推出新款LED產品－OSTAR Compact，該產品將可處理更高電流，並且熱阻更低，可在脈衝模式下處理最高6A的電流，適合小型行動裝置的微型和口袋型投影機使用 |
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中德電子計畫Q3量產12吋矽晶圓 (2005.01.22)
據業界消息，目前為美商MEMC百分之百持股的竹科中德電子材料，已規畫在2005年內量產12吋矽晶圓生產線。該生產線將把MEMC日本廠產出的（Ingot）運來台灣進行後段切割拋光製程，並設置12吋磊晶（epi）反應爐，提供磊晶片製程，預計於2005年第三季開始量產 |
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LED趨勢演變與突破 (2001.09.01)
80年代迄今，LED一直有著戲劇化的發展與瓶頸。從前期上游材料研發困難的突破，到近期經濟狀況大幅度改變，都成為LED發展重心轉移的原因。筆者隨著它的演變、研發過程，從法令及環境方面分析出產業發展的契機 |
