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革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵
IBM試圖創作全新的通用型記憶體 (2007.10.25)
一個全新奈米線（nanowires）等級的記憶體裝置，在今年10月初由IBM研究人員做出了初步的成果，它能整合當今種種記憶體最好的品質技術於一身，而且還能降低生產成本與改善品質
美國賓州大學完成高密度FeRAM技術研究成果 (2007.10.24)
美國賓夕法尼亞大學結合化學以及機械工程的教授團隊，近期在奈米多尺度力學領域的研究有了重要的突破。10月中他們宣布完成了鐵電域壁（domain walls，亦稱疇壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），並提出新的鐵電域壁移動理論，他們發現藉由可滑移的壁，能夠分隔鐵電域壁的磁區，藉由這項技術將可實現高密度的鐵電記憶體
SONY與Canon合作研發容量4.7GB之光碟技術 (2004.05.26)
今年1月SONY發表了容量達1GB的「Hi-MD」規格後，近日則與Canon合作，以「DWDD（Domain Wall Displacement Detection）」磁區擴大再生技術，成功研發儲存容量達到4.7GB，大小與一張MD相當的光碟片


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