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恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19) 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出BLC7G22L(S)-130基地台功率電晶體,這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;LDMOS)技術的產品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化 |
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恩智浦半導體突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16) 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L(S)-130基地台功率電晶體,這是恩智浦應用第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;LDMOS)技術的首款產品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化 |
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報告:2012年全球高功率RF半導體市場達10億美元 (2008.01.08) 外電消息報導,市場研究公司ABI Research日前發表一份最新的研究報告表示,隨著無線基礎建設的發展,至2012年時,全球高功率RF半導體市場規模將達到10億美元。
ABI Research的研究報告中,將RF功率半導體市場分為6個市場和24個子市場 |
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