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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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隔離式封裝的優勢 (2023.02.09)
本文說明高功率半導體的先進封裝有效提升效率及效益的技術與列舉應用範例。 |
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賀利氏電子推出預敷焊料陶瓷覆銅基板 (2017.06.28)
預敷焊料陶瓷覆銅（DCB+）基板可減少50%晶片焊接工序
近日，賀利氏電子（Heraeus）推出了全新的預敷焊料陶瓷覆銅（DCB+）基板，它是DCB+基板的全新補充與服務組合的重要組成部分，可將晶片焊接工序減少50% |
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英飛凌新款IGBT模組以62 mm封裝提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)擴展旗下62 mm IGBT模組陣容。全新電源模組能在尺寸不變下，滿足對更高功率密度日益增加的需求。業經驗證的62 mm封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板，以實現更高的功率密度 |
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英飛凌新款雙極性功率模組採用焊接技術 (2014.11.28)
英飛凌科技（Infineon）發表新款雙極型功率模組，經由採用焊接技術可以解決針對成本效益特別要求的應用。藉由推出此款全新的PowerBlock模組，英飛凌擴充了原已相當完整，但目前均採用壓接方式的功率模組產品組合 |
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Infineon推出全新.XT技術 大幅延長IGBT模組的使用年限 (2010.05.12)
英飛凌（Infineon）日前在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2010展場（2010年5月4-6日），推出了創新 IGBT 內部封裝技術，能大幅延長IGBT模組的使用年限。全新的.XT技術實現IGBT模組內所有內部接合的最佳化，以延長產品壽命 |
