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BiCMOS製程提供放大器更高精確度 (2006.05.16)
美國國家半導體(NS)為供電電壓介於0.9~12V之間的運算放大器開發了VIP50製程技術,VIP是垂直整合PNP製程技術的簡稱。VIP50製程技術是一種採用絕緣矽(SOI)的BiCMOS製程,其中採用的薄膜電阻不僅可以微調
BiCMOS製程提供放大器更高精確度 (2006.05.02)
美國國家半導體(NS)為供電電壓介於0.9~12V之間的運算放大器開發了VIP50製程技術,VIP是垂直整合PNP製程技術的簡稱。VIP50製程技術是一種採用絕緣矽(SOI)的BiCMOS製程,其中採用的薄膜電阻不僅可以微調
以BiCMOS製程技術提昇放大器效能 (2005.10.27)
NS以絕緣矽(SOI)BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能,這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9~12V之間的運算放大器所設計,其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上
以BiCMOS製程技術提昇放大器效能 (2005.10.06)
NS以絕緣矽(SOI)BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能,這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9~12V之間的運算放大器所設計,其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上
以BiCMOS製程技術提昇放大器效能 (2005.10.01)
NS以絕緣矽(SOI)BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能,這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9~12V之間的運算放大器所設計,其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上
美國國家半導體推出一款採用SC70-5封裝的比較器 (1999.12.08)
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)宣佈推出一款低功率的高速比較器。這款型號為LMV7219的比較器專以需要支援高速數位訊號調節功能的應用方案為對象,其對稱訊號傳播延遲(Tpd)只有7毫微秒,而且耗電量亦只有1.1mA


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