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車用晶片供需2023年見真章！ (2022.03.29)
由於設備建置與認證需要至少約一年的時間，產能最快2023年開出。因此，2022年車用晶片雖然不若2021年吃緊，供需恢復正常最快也要等到2023年。 |
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應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品，協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商，從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造，增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量，滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求 |
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新能源車需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR達78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁 |
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科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈，與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作，結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器，和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的無線容量，可支援更多人同時使用，並且提高了資料傳輸速度 |
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中國高斯寶採用科銳SiC電晶體 提升伺服器電源效率 (2021.06.13)
科銳公司(Cree)宣布，中國高斯寶電氣（Gospower）將在其次代通用備援電源(CRPS)解決方案中，採用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半場效電晶體(MOSFET)，來提高電源效率。
科銳指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透過低開關和導通損耗提供高效率，並具有高功率密度的特點，包括更小的體積、更輕的重量和更少的元件數 |
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賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET問世10周年之際，作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，也為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。 |
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TrendForce：第三代半導體成長強勁 GaN產值年增90.6% (2021.03.11)
根據TrendForce調查，2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足致使年增率持續受到壓抑。然受惠於車用、工業與通訊需求挹注，2021年第三代半導體成長動能有望高速回升 |
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科銳推出新系列SiC功率模組 助電動車快充和太陽能加速量產 (2021.01.21)
碳化矽技術大廠科銳(Cree)宣佈推出Wolfspeed WolfPACK功率模組，擴展其解決方案，提升電動車快速充電、可再生能源、儲能和各種工業電源應用的性能。通過採用1200V Wolfspeed MOSFET技術，該新型模組成功在簡單易用的封裝內實現效率最佳化，幫助設計人員開發出尺寸更小、擴展性更好、效率和性能皆顯著提升的電源系統 |
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Cree與StarPower助客車廠商開發SiC電機控制器系統解決方案 (2020.06.10)
宇通客車（宇通集團）於日前宣佈，其新能源技術團隊正在採用基於科銳（Cree, Inc.）1200V SiC元件的Stare半導體功率模組，開發更高效率，更快，更小，更輕，更強大的電機控制系統，各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業化應用 |
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5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光電協進會(PIDA)指出，氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分，但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率，設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件，特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署（包括毫米波段） |
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科銳與ABB宣佈SiC元件合作 供汽車和工業領域解決方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技術領先企業科銳（Cree）與ABB電網事業部宣佈達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的採用。協定內容包括在ABB種類齊全的產品組合中，將採用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將有助科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場 |
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科銳與采埃孚推進電驅動領域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽（SiC）半導體企業科銳（Cree, Inc.）與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣佈達成戰略合作，開發業界領先的高效率電傳動設備。
通過此次戰略合作，科銳與采埃孚將強化現有的合作 |
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打造SiC走廊 科銳將於紐約州建造最大SiC工廠 (2019.09.24)
科銳（Cree）計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm（8吋）功率和射頻（RF）晶圓製造工廠，而與之相輔相成的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴產正在公司特勒姆總部開展進行 |
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科銳將在紐約州建造全球最大SiC製造工廠 (2019.09.24)
作為碳化矽（SiC）技術全球領先企業的科銳（Cree, Inc.），於今日宣佈計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm功率和射頻（RF）晶圓製造工廠 |
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Cree與德爾福科技開展汽車SiC元件合作 (2019.09.15)
科銳（Cree）與德爾福科技（Delphi Technologies）宣佈開展汽車碳化矽（SiC）元件合作。雙方的此次合作將通過採用碳化矽（SiC）半導體技術，為未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統 |
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Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC器件系列 (2018.08.09)
科銳旗下Wolfspeed宣佈推出E-系列碳化矽（SiC）半導體器件，這一新型產品家族針對電動汽車EV和可再生能源市場，能夠為車載汽車功率轉換系統、非車載充電、太陽能逆變器和其它戶外應用提供目前最高的功率密度和長期可靠性 |
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科銳推出新款高光效XP-G2 HE LED (2018.07.23)
科銳推出新款高光效XLamp XP-G2 HE (High Efficacy) LED，在標準版XLamp XP-G2 LED基礎上進一步提升性能、更高光輸出和效率，從而幫助實現體積更小、重量更輕、成本更低的設計方案 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。
這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位 |
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科銳推出超高密度XD16 LED 流明密度突破280 lm/mm2 (2017.12.08)
科銳推出超高密度（Extreme Density）XLamp XD16 LED，實現其商業化量產。XD16流明密度最高可以達到科銳以往大功率LED流明密度的5.5倍。
基於科銳開創性的NX技術平台，XD16兼顧了突破性流明密度、低光學損失、優異散熱管理和系統製造簡易性等特點，能夠為道路照明、工業照明、手電筒等在內的多種應用帶來創新型新設計 |
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科銳新款CMA大電流系列COB提供光輸出、光效和可靠性 (2017.10.13)
科銳(CREE)推出新款XLamp大電流（High Current）CMA系列，為金屬基COB元件帶來更高的流明密度和光效。CMA系列COB元件針對大驅動電流進行優化設計，最高可以提供2.5倍於科銳標準密度CXB系列COB器件的流明密度 |
