账号：
密码：
鯧뎅꿥ꆱ藥 2 곧
ASM研发提升45nm High-k制程1倍产量的ALD技术 (2009.02.09)
ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。 新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模块上运作，并可使用既有的反应炉设备设计透过专利的制程最适化技术达成产能的提升
ASM提出新技术解决high k与金属栅的挑战 (2008.05.22)
ASM推出一个全新的原子层沈积（ALD）制程。该制程采用氧化镧（LaOx）及氧化铝（AlOx）高介电值覆盖层，使得32纳米high k金属闸极堆栈采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属


  跥Ꞥ菧ꢗ雦뮗
1 Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统
2 Basler全新小型高速线扫描相机适合主流应用
3 宇瞻智慧物联展示ESG监控管理与机联网创新方案
4 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列
5 瑞萨与英特尔合作为新款Intel Core Ultra 200V系列处理器提供最隹化电源管理
6 宜鼎推出DDR5 6400记忆体，具备同级最大64GB容量及全新CKD元件，助力生成式AI应用稳定扎根
7 SCIVAX与Shin-Etsu Chemical联合开发全球最小的3D感测光源装置
8 三菱电机新型MelDIR品牌80×60像素热二极管红外线感测器
9 Pilz安全可配置小型控制器PNOZmulti 2适用於分散式周边设备
10 Bourns SA2-A系列GDT高浪涌电流等级提升电气性能和浪涌保护

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw