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探討碳化矽如何改變能源系統 (2025.04.09)
碳化矽（SiC）已成為各產業提高效率和支援去碳化的基石。更是推動先進電力系統的要素之一，可因應全球對再生能源、電動車（EV）、資料中心和電網基礎設施日益增長的需求 |
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電動車充電革新與電源管理技術 (2025.04.08)
電動車充電需求的不斷提升，而電源管理晶片在整個系統中承擔著能量轉換、監控保護以及智能調度等多重功能，是保證充電安全、高效與智能化的關鍵組件。 |
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解析USB4測試挑戰 (2025.04.08)
從8K影音串流到工業物聯網，從電動車智能座艙到邊緣運算節點，這場由USB4介面所驅動的技術革命，正在重塑人類與數位世界的互動方式。 |
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馬自達與ROHM聯合開發採用次世代半導體的車載元件 (2025.03.31)
Mazda Motor Corporation（以下簡稱 馬自達）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱 ROHM）開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵（GaN）功率半導體的車載元件。
馬自達與ROHM自2022年起，在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中，一直在推進搭載碳化矽（SiC）功率半導體的逆變器聯合開發 |
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報告：2030年全球車用半導體年複合成長率達7.5% (2025.03.17)
根據Persistence的研究資料，受惠於電動車、先進駕駛輔助系統（ADAS）及車聯網技術，全球車用半導體產業迎來快速的發展。預計至2030年將以7.5%年複合成長率持續擴張，。
推動市場成長的關鍵因素多元且相互關聯：車輛電氣化已成為全球汽車產業的發展趨勢 |
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半導體產業未來的八大關鍵趨勢 (2025.03.14)
意法半導體對未來一年乃至更長時間內，可能持續影響並重塑產業發展的關鍵趨勢預測。 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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貿澤電子與NXP攜手推出全新電子書 提供關於電動車馬達控制的專家觀點 (2025.03.11)
推動創新、領先業界的新產品導入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣佈與NXP Semiconductors合作出版全新電子書，書中探討工業和汽車等系統的電氣化對於馬達控制技術進步與創新的高依賴度 |
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產研加速關鍵零組件轉型 驅動工具機低碳智造 (2025.03.06)
續多年來台灣工具機暨零組件產業發揮中部聚落優勢，不僅成立M-Team聯盟深化中衛體系聯盟；並在工業4.0、AIoT時代加裝智慧元件，以協助蒐集邊緣運算所需真實數據；以及為了追逐淨零碳排目標，落實以大帶小策略，提高工具機生態系價值 |
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英飛凌達成8吋碳化矽晶圓新里程碑：開始交付首批產品 (2025.02.18)
英飛凌科技股份有限公司在8 吋碳化矽(SiC) 產品路線圖上取得重大進展。將於2025年第一季度向客戶供貨首批採用先進8 吋 SiC晶圓製程的產品。這些產品在位於奧地利菲拉赫的生產基地製造，將為高壓應用領域，包括再生能源系統、軌道運輸和電動車等，提供業界領先的SiC電源技術 |
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ROHM 650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝 (2025.02.13)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用 |
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電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
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高功率元件的創新封裝與熱管理技術 (2025.02.10)
隨著高密度封裝和熱管理技術的進步，我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業，推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代，持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵 |
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高功率元件加速驅動電氣化未來：產業趨勢與挑戰 (2025.02.10)
高功率元件將成為實現全球電氣化未來的重要推動力。
產業需共同應對供應鏈挑戰、降低成本並提升技術創新速度。
最終助力實現更高效、更環保的全球能源管理體系 |
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工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料 |
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工研院SiC技術亮相日本 助攻電動車產業升級 (2025.01.22)
工研院於日本國際電子製造關連展發表車用碳化矽（SiC）解決方案，吸引逾8萬人次參觀，並與車廠及零件商洽談合作。
工研院展示了與台達電共同開發的SiC功率模組，可提升電動車動力效能、延長續航里程並加速充電 |
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IEEE公布2024十大熱門半導體文章 揭示產業未來趨勢 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精選了2024年最受歡迎的十大熱門半導體文章，作為回顧一整年的總結，同時也展望2025的新發展，以下就是其精選的內容：
1. 兆級電晶體GPU: 台積電預測十年內單個GPU將容納一兆個電晶體 |
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極體為汽車SiC MOSFET 提供卓越的柵極驅動器保護 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非對稱TVS二極體系列，這是首款上市的非對稱瞬態電壓抑制（TVS）二極體，專門用於保護汽車應用中的碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器。 這項創新產品滿足下一代電動車(EV) 系統對可靠過壓保護日益增長的需求，提供一種結構緊湊的單元件解決方案，取代了傳統用於柵極驅動器保護的多個齊納二極管或TVS 元件 |
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意法半導體先進的STGAP3S電隔離閘極驅動器 為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能 (2024.12.30)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、優化的去飽和保護功能，以及靈活的米勒鉗位架構 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
