由於非晶矽技術具有低溫製程與低成本製造等優點，使得氫化非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)被廣泛的利用在平面顯示應用上，用來控制畫面灰階的變化，更可以被應用在主動式有機發光顯示器中，作為驅動OLED元件的驅動元件。然而，氫化非晶矽材料是一種光導電物質，在可見光的照射下，由於電子電洞對大量產生下，其導電率便會顯著的上升，造成的薄膜電晶體漏電流的上升，連帶使得畫素中儲存電容中所儲存的電荷流失，進而影響畫面品質。因此，如何抑制薄膜電晶體在光照射下的漏電流及提升電晶體元件的效能是一個重要的課題。

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本課程內容將介紹非晶矽薄膜材料(a-Si:H film)以及非晶矽電晶體元件(a-Si:H TFT)的各種光與電的不穩定特性，並提供ㄧ種新穎且簡易的技術來抑制非晶矽電晶體元件的光漏電流，同時提升導通電流以及增加薄膜電晶體的電性可靠度。