以半导体材料与制程开发的闪存，由于记忆单元(cell size)可以做到极小，因此一颗记忆IC的容量就越做越高。日前三星电子就开发出30奈米制程的NAND Flash芯片(如图)，容量高达64GB，该公司以技高一筹的CTF及SaDPT技术突破闪存的发展瓶颈，令人叹为观止。如果64GB的Flash内存价格够好，那么未来笔记本电脑或其它行动装置的硬盘只要加装一颗IC就够了，电子产业的技术与市场真的就像”Flash”一样─瞬息万变哩。(图/Samsung)