以半導體材料與製程開發的快閃記憶體，由於記憶單元(cell size)可以做到極小，因此一顆記憶IC的容量就越做越高。日前三星電子就開發出30奈米製程的NAND Flash晶片(如圖)，容量高達64GB，該公司以技高一籌的CTF及SaDPT技術突破快閃記憶體的發展瓶頸，令人嘆為觀止。如果64GB的Flash記憶體價格夠好，那麼未來筆記型電腦或其它行動裝置的硬碟只要加裝一顆IC就夠了，電子產業的技術與市場真的就像”Flash”一樣─瞬息萬變哩。(圖/Samsung)