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Ramtron推出可與飛思卡爾Tower System搭配使用的F-RAM記憶體模組 (2012.10.12)
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣佈，即刻起開始供應可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發平臺共用的全新F-RAM記憶體模組(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM磁芯記憶體和整合式產品的擴展集，為採用飛思卡爾基於ARM Cortex 的Kinetis和i |
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Ramtron採用低功耗非揮發記憶體來控制時間 (2012.04.22)
Ramtron在日前舉行的矽谷Design West/嵌入式系統會議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中發佈了新型的低功耗F-RAM記憶體產品，進一步加強公司協助客戶改善產品能效、存取速度和安全性的能力 |
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Ramtron和Revere Security合作安全高能效元件 (2012.03.16)
Ramtron 和Revere Security 日前宣佈雙方建立合作關係，計畫將Revere Security的Hummingbird HB-2安全技術整合到Ramtron的非發揮性鐵電隨機存取記憶體 產品中。根據合作協定，Ramtron和Revere Security將共同進行產品開發、共同行銷安全半導體解決方案，並共同制訂推動安全技術整合進F-RAM產品中的藍圖 |
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Ramtron任命Scott Emley擔任市場推廣副總裁 (2011.11.03)
Ramtron近日宣佈，任命Scott Emley擔任市場推廣副總裁。Emley先生將帶領全球市場推廣團隊，全面負責包括應用和技術支援的產品線推廣，並向Ramtron首席執行長Eric Balzer報告。
Emley先生來自德州儀器（TI），曾擔任德州儀器ARM微處理器、DSP和多核產品的市場推廣總監 |
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Ramtron開始供應高速串列F-RAM器件樣品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣佈，已開始供應4-至64Kb串列非揮發性鐵電RAM（F-RAM）記憶體的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次（1e12）的讀/寫週期、低功耗和無延遲（NoDelay）寫入等特性 |
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Ramtron推出64Kb串列F-RAM記憶體樣片 (2011.07.27)
低功耗鐵電記憶體（F-RAM) 和整合式半導體供應商Ramtron於近日共同宣佈，該公司最新鐵電隨機存取記憶體（F-RAM） 產品的樣片現已在IBM的新生產線生產。此一新產品FM24C64C是64 Kb、5V串列F-RAM器件，以匯流排速率運行且無寫入延遲，並支援高達1萬億次（1e12）的讀/寫週期，這比相同等級的EEPROM器件高出100萬倍 |
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Ramtron推出具有寬工作電壓範圍的串並列記憶體 (2011.04.01)
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)近日宣布，推出W系列的 F-RAM記憶體，W系列器件具有串列I2C、SPI介面和並列介面（parallel interface），可提供從2.7V到5.5V的寬電壓範圍。此外，W系列具有更高的性能，如工作電流（active current）需求降低了25%至50%，串列器件的首次存取啟動（初始上電）速度加快20倍 |
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Ramtron推出FRAM無線記憶體的商用樣品 (2010.08.12)
Ramtron於前日（8/10）宣佈，開始提供其具有F-RAM特性之MaxArias無線記憶體之商用樣品。Ramtron的MaxArias系列無線記憶體，將非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性 |
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Ramtron 1Mbit串列F-RAM提升至汽車標準要求 (2010.07.06)
Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串列F-RAM記憶體FM25V10-G，通過了AEC-Q100 Grade 3標準認證，這項嚴格的汽車等級認證是汽車電子設備委員會（Automotive Electronic Council, AES）針對積體電路而制定的應力測試認證 |
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Ramtron推出新款32Kb串列非揮發性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣佈推出一款編號為 FM24CL32的串列非揮發性RAM器件，它可提供高速讀/寫的性能、低電壓運作，以及出色的資料保持能力。FM24CL32是32Kb 的非揮發性記憶體，工作電壓的範圍為2.7V至3.6V，採用8腳的SOIC封裝，採用雙線 (I2C) 協定；並提供快速存取、無延遲 (NoDelay) 寫入、幾乎沒有限制的讀/寫次數 (1E14) 及低功耗特性 |
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Ramtron非揮發性狀態保存器通過汽車標準認證 (2009.05.21)
非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，其兩款非揮發性狀態保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已經通過AEC-Q100 Grade 1認證 |
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Ramtron發表512Kb和1Mb V系列串列F-RAM (2009.04.06)
Ramtron宣佈為其新的並列和串列F-RAM系列新增兩款產品，這些F-RAM元件可提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選的器件特性。Ramtron的V系列F-RAM產品中最新產品的型號為512Kb的FM24V05和1Mb的FM24V10 |
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RAMTRON宣佈與IBM達成代工協議 (2009.02.26)
Ramtron宣佈已經與IBM達成代工服務協議，兩家公司計畫在IBM位於美國維佛蒙特州伯林頓市的先進晶圓製造設施內安裝 Ramtron的F-RAM半導體製程技術，一旦安裝完成，此一新代工服務將成為Ramtron 推出新款具成本效益的高性能F-RAM半導體產品之基礎 |
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Ramtron新型4Mb F-RAM記憶體採用FBGA封裝 (2009.02.24)
Ramtron宣佈提供採用最新FBGA封裝的4百萬位元（Mb）F-RAM記憶體。FM22LD16是一款採用48腳FBGA封裝的3V、4Mb並行非揮發性F-RAM，具有存取速度高、幾乎沒有限制的讀/寫週期以及低功耗等優點 |
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Ramtron在V系列增添串列512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列產品中的第二款串列元件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列周邊介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100，是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性 |
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Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體 (2008.09.18)
Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10，是100萬位元（Mb）、2.0至3.6V、具有串列外設介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，其特點是快速存取、無延遲（NoDelay技術）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
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Ramtron委任貝能國際擴大FRAM中國銷售管道 (2008.08.18)
Ramtron International將進一步增強中國市場滲透的措施，委任貝能國際（Burnon International）在中國內地及香港地區分銷其全系列產品。
過去七年半以來，Ramtron在中國市場的銷售大幅度成長，現在中國市場銷售額占該公司亞太地區銷售額超過三分之二 |
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其陽選擇Ramtron的FRAM用於遊戲機解決方案 (2008.08.08)
台灣應用工業計算平台製造商其陽科技（Aewin Technologies），已在其以Intel為基礎的 GA-2000及以AMD為基礎的GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16 400萬位元FRAM非揮發性記憶體 |
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Energy Optimizers選擇FRAM用於管理插頭 (2008.07.25)
Ramtron宣佈，英國的 ZigBee和藍牙智慧節能設備設計和製造商Energy Optimizers已將Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串列F-RAM記憶體，設計用於其Plogg系列無線能量管理插頭中。F-RAM所提供的無延遲（NoDelay）寫入、幾乎無限的耐用性及低功耗特點 |
