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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長,尤其是在永續經營和急需創新的市場方面,先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展(electronica 2024),展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術,並進行技術交流合作
Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計,實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸,適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合,
Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流,提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體,為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案,專為保護碳化矽(SiC)MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計
英飛凌HybridPACK Drive G2 Fusion結合矽和碳化矽至電動汽車先進電源模組 (2024.10.16)
英飛凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion,為電動汽車領域的牽引逆變器確立新的電源模組標準。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌矽(Si)和碳化矽(SiC)技術,可隨插即用的電源模組
電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件,對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要,本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案
用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放,世界各國政府紛紛推出立法,要求提高電動馬達的效率。
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產,包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」
意法半導體新車規單晶片同步降壓轉換器讓應用設計更彈性化 (2024.08.29)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出新系列汽車級降壓同步DC/DC轉換器,新產品有助於節省電路板空間,簡化車身電子、音訊系統和逆變器閘極驅動器等應用設計。A6983轉換器系列包括六款低功耗、低雜訊非隔離型降壓轉換器和一款隔離型降壓轉換器A6983I
為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理,並且展示如何運用功率組件,將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。
開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品,是來自德州儀器(TI)一款業界首創的650V三相智慧功率模組(Intelligent Power Module;IPM)-「DRV7308」,適用於250W馬達驅動器應用。
熱泵背後的技術:智慧功率模組 (2024.07.26)
熱泵是一種用於製冷和供暖的多功能、高效能技術。而高品質封裝技術的關鍵,在於能夠保持出色散熱性能的同時優化封裝尺寸,並且不降低絕緣等級。
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE,這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出,支援量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低
安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組,與其他同類產品相比,該模組的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現,有助於降低系統成本並簡化設計
CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN參考設計及評估套件 (2024.06.07)
無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發氮化鎵(GaN)器件,近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件(EVK)
功率循環 VS.循環功率 (2024.05.29)
緩解效應意味著經典的「功率循環」失效機制不會對壓接型元件的壽命產生影響,這也是設計應用於鐵路、船舶推進系統和電解工廠的原因之一。
電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用,本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。
英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統(PV-ES)市場快速增長。光儲市場競爭加速,提高功率密度成為廠商得勝關鍵;英飛凌科技(Infineon)為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件,共同推動綠色能源發展
瑞薩新款通用32位元RISC-V MCU採用自研CPU核心 (2024.03.26)
最近許多微控制器供應商都加入RISC-V聯盟以促進產品的開發,瑞薩電子(Renesas Electronics)推出首款基於自研核心的RISC-V通用微控制器(MCU)。瑞薩已獨立設計並測試新的RISC-V核心,現已完成商業化產品並在全球推廣
保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。


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