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鎧俠與SanDisk攜手突破3D快閃記憶體技術 NAND速度達4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation（鎧俠）與SanDisk近日共同宣布，在3D快閃記憶體技術上取得重大突破，推出業界領先的技術，不僅實現了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表現卓越 |
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生成式AI將使智慧手機轉為兼具生產與娛樂的多用途平台 (2025.02.10)
在生成式AI出現前，智慧型手機市場的發展主要聚焦於硬體性能升級與攝影、遊戲等娛樂應用。然而，這些創新多屬於增量式改進，市場競爭趨於飽和，成長空間受限。生成式AI的崛起帶來了全新的變革，使智慧型手機不再僅是資訊消費工具，而是轉變為能夠創造內容、執行語音助手、自動生成圖像與文字的智慧型裝置 |
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SOT-MRAM記憶體技術重大突破 有望改寫電腦快取架構 (2025.02.10)
德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展，記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案，以即時處理海量數據。因此，記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |
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Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。
根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM) |
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汽車微控制器技術為下一代車輛帶來全新突破 (2024.12.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）深耕汽車市場已超過30年，為客戶提供涵蓋典型車輛中多數應用的多元產品與解決方案。隨著市場的發展，ST的產品陣容不斷精進，其中汽車微控制器（MCU）是關鍵之一 |
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CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電RAM (FeRAM)定位為先進節點的競爭性記憶體解決方案 |
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Rambus與美光延長專利授權協議 強化記憶體技術力 (2024.12.11)
半導體IP商Rambus今日宣布，已與美光(Micron )專利授權協議期限延長五年。該延長協議維持現有授權條款，允許Micron在2029年底前廣泛使用Rambus專利組合。其他條款和細節保密 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。
儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。
TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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Microchip能第五代PCIe固態硬碟控制器系列 可管理企業和資料中心工作負載 (2024.08.06)
人工智慧（AI）的蓬勃發展和雲端服務的快速普及正推動對更強大、更高效和更高可靠性的資料中心的需求。為滿足日益增長的市場需求，Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固態硬碟 （SSD） 控制器 |
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美光宣布量產第九代NAND快閃記憶體技術 (2024.07.31)
美光科技宣布，採用第九代(G9) TLC NAND技術的SSD現已開始出貨。美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s，不論是在個人裝置、邊緣伺服器，或是企業及雲端資料中心，這顆NAND新品均可展現效能，滿足人工智慧及其他運用大量資料的使用情境 |
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鎧俠推出全新第八代 BiCS FLASH技術的2Tb QLC樣品 (2024.07.03)
鎧俠公司（Kioxia）宣布第八代2Tb四層單元（Quad-Level-Cell；QLC）樣品開始供貨BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術。這款2Tb QLC設備將儲存設備提升到高容量，將推動包括AI在內的多個應用領域成長 |
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從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案 |
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高速運算平台記憶體爭霸 (2024.07.02)
各類AI應用的市場需求龐大，各種記憶體的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，只有隨時保持容量、速度與可靠度的優勢才是王道 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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台灣AI關鍵元件的發展現況與佈局 (2024.06.13)
就人工智慧（AI）裝置的硬體來看，關鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、記憶體、PCB板、以及散熱元件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角，更是使用者體驗能否優化的重要輔助 |
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[COMPUTEX] 信驊展出新一代BMC晶片及全景智慧視覺化遠端管理應用 (2024.06.05)
因應雲端服務中優化運算的趨勢，信驊科技在台北國際電腦展COMPUTEX 2024首次亮相第八代遠端伺服器管理晶片（Baseboard Management Controller；BMC）AST2700系列，這一款採用12奈米先進製程技術BMC晶片 |
