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ROHM 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装 (2025.02.13)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支援大功率的应用领域被陆续采用 |
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电动车、5G、新能源：宽能隙元件大显身手 (2025.02.10)
随着运算需求不断地提高，新兴能源也同步崛起，传统矽基半导体材料逐渐逼近其物理极限，而宽能隙半导体材料以其优越的性能，渐渐走入主流的电子系统设计之中。 |
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高功率元件的创新封装与热管理技术 (2025.02.10)
随着高密度封装和热管理技术的进步，我们将看到更高效、更可靠的高功率元件应用於各不同产业，推动技术的持续演进。在这个挑战与机遇并存的时代，持续的研发投入与技术创新将成为决胜关键 |
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高功率元件加速驱动电气化未来：产业趋势与挑战 (2025.02.10)
高功率元件将成为实现全球电气化未来的重要推动力。
产业需共同应对供应链挑战、降低成本并提升技术创新速度。
最终助力实现更高效、更环保的全球能源管理体系 |
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工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力，兼顾在高压、高温下稳定运行，使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成为该领域深受关注的元件材料 |
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CT2502 (2025.02.04)
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工研院SiC技术亮相日本 助攻电动车产业升级 (2025.01.22)
工研院於日本国际电子制造关连展发表车用碳化矽（SiC）解决方案，吸引逾8万人次叁观，并与车厂及零件商洽谈合作。
工研院展示了与台达电共同开发的SiC功率模组，可提升电动车动力效能、延长续航里程并加速充电 |
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丰田合成GaN基板技术获突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
丰田合成株式会社近日宣布，其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证，能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。
更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色，对於减少社会碳排放至关重要 |
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ROHM与台积公司在车载氮化??功率元件领域建立战略合作夥伴关系 (2024.12.10)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下简称 台积公司）在车载氮化??功率元件的开发和量产事宜建立战略合作夥伴关系 |
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Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求 |
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ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年来，汽车和工业设备朝高电压化方向发展，市场开始要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元件支援高电压。半导体制造商ROHM针对车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现业界顶级低损耗和高短路耐受能力的第4代IGBT |
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ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值 (2024.11.11)
面对近年来工业4.0概念持续发展，并加入人工智慧（AI）普及化、节能减碳等热门议题引发关注，意法半导体（ST）也在近期提出包含MEMS感测器和碳化矽（SiC）等高效解决方案，探讨可在边缘AI领域扮演的关键角色，使其更易於普及，让每个人都能受益 |
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国科会新增10项核心关键技术 强化太空、量子、半导体领域保护 (2024.11.03)
为强化国家核心关键技术保护，避免国家安全、产业竞争力及经济发展受损，国科会预告修正「国家核心关键技术项目及其技术主管机关」草案，新增10项太空、量子科技、半导体及能源领域之关键技术，预告期至11月15日止 |
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ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品 (2024.10.30)
半导体制造商ROHM生产的EcoSiC产品SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），被日本先进电源制造商COSEL生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元「HFA／HCA系列」采用。强制风冷型HFA系列和传导散热型HCA系列均搭载ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，实现最大的工作效率（94%） |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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AI数据中心：节能减碳新趋势 (2024.10.28)
面临GPU及AI资料中心耗费庞大电量，市面上各种冷却散热方案终究是治标不治本，而有国内外电源大厂开始从电网的中载变压器、终端人与物料维运模式溯源减碳的全方位解决方案 |
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DENSO和ROHM针对半导体领域建立战略合作达成协议 (2024.10.24)
近年来电动车的开发和普及进程加速，带动汽车电气化所需的电子元件和半导体的需求也迅速增加。另外，有助交通事故零死亡的自动驾驶和联网车等领域，也离不开半导体的支援，半导体的重要性日益凸显 |
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芯动半导体与ROHM签署车载功率模组战略合作 推动xEV技术创新 (2024.10.11)
随着电动化车款（xEV）市场的不断扩大，对於延长续航里程和提高充电速度的需求也日益提升。而关键元件中的SiC被寄予厚??，并逐渐被广泛应用於核心驱动零件牵引逆变器 |
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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
