ROHM推出600V耐壓超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列產品，在保持最快反向恢復時間（trr）的同時，提高設計靈活度，非常適用於空調、冰箱等生活家電的馬達驅動以及EV充電樁，而該「R60xxJNx系列」產品群於近期又新增共30種機型。

ROHM推出600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS

此次研發的新系列產品與傳統產品同樣利用了ROHM的LifeTime控制技術，實現了最快的反向恢復時間（trr）。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，透過提高導通MOSFET所需要的電壓基準，可以避免發生造成損耗增加原因之一的誤開啟（Self Turn-on）現象。不僅如此，還透過最佳化內建二極體的特性，改善了超接合面MOSFET特有的軟恢復指數，可減少引發誤動作的雜訊干擾。透過減少這些阻礙使用者實 行最佳化電路時的障礙，以提高設計靈活度。

據瞭解，在全球的功率需求中，近50%用於馬達驅動，隨著生活家電在新興國家的普及，馬達驅動帶來的功率消耗量預計會逐年增加。一般來說，包括空調和冰箱在內，生活家電多使用變頻電路進行馬達驅動，而變頻電路的開關元件通常會使用IGBT。然而，近年來在節能性能需求高漲的大趨勢下，可有效降低裝置穩定運行時功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。

Presto表示“極快”，是源自於義大利語的音樂術語。通常MOSFET具有快速開關以及在低電流範圍的低導通損耗的優勢。例如，用於空調的情況下，非常有助於穩定運轉時實現低功耗。PrestoMOS正是在低電流範圍實現低功耗、以業界最快的反向恢 復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。

開關速度的高速化與誤開啟現象、雜訊干擾是相悖的，使用者在電路設計時需要透過調整閘極電阻來進行最佳化。與一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已經採取了針對誤開啟現象以及雜訊的對策，有助於提高設計靈活 度。

避免增加損耗的誤開啟對策

本系列產品透過最佳化 MOSFET 結構上存在的寄生電容，將開關時的額外閘極電壓降低了20％。另外，使MOSFET導通所需的閾值電壓（Vth）增加了約1.5倍，是“不易產生誤開啟現象的設計”。因此，擴大了用戶透過閘極電阻來進行損耗調節的範圍。

改善恢復特性，減少雜訊干擾

一般來說，超接合面MOSFET的內建二極體的恢復特性為硬恢復。 然而，ROHM的R60xxJNx系列，透過最佳化結構，與傳統產品相比， 新產品的軟恢復指數改善了30％，不僅保持了業界最快的反向恢復 時間（trr），還成功減少了雜訊干擾。因此，用戶可更輕易地透過閘極 電阻來調節雜訊干擾。