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IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2012年11月21日 星期三

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國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。

IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台
IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台

Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗,增加功率密度,以及提供耐用性。IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平台,彰顯出我們在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分百變頻,藉以更有效使用電能,並且綠化環境。」

新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關斷功能,有助於把dv/dt減到最低,從而減少電磁干擾和過壓,以提升可靠性與耐用性。這個平台的參數分布較狹窄,在高電流功率模組內並聯起多個IGBT之時,可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻和達到175°C的最高結溫。

潘氏稱:「IR的Gen8 IGBT平台旨在為工業應用提供卓越的技術。該IGBT平台憑藉頂尖的Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能,把工業市場所面對的艱巨難題迎刃而解。」

關鍵字: 雙極電晶體  IR  潘大偉 
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